Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт
0.0
QH8MA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
12676 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт" 1.

QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт
0.0
QH8MA4TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
9067 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт" 1.

QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25
0.0
QS5K2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Конструкция диодаобщий источник
9507 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25" 1.

QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6J11TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTSMT6
10123 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт
0.0
QS6J1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6
5282 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт" 1.

QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K1FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
9067 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6
13028 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K21FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
11092 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
9771 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6
0.0
QS6M4TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
12148 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт
0.0
QS8J13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTSMT8
13732 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSMT8
13732 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8
13996 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8J5TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J5TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTSMT8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8J5TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8K11TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT8
8187 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8
0.0
QS8K13TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусTSMD8
16373 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8" 1.

QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт
0.0
QS8M31TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/7,2нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
19894 ₽
Доступность: 988 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт" 1.

QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
13908 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
13820 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

SH8J31GZETB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
0.0
SH8J31GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8J31GZETB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8" 1.

SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
0.0
SH8J62TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8
13556 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8" 1.

SH8J65TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD
0.0
SH8J65TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8J65TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

SH8J66TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SO8; ESD
0.0
SH8J66TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSO8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8J66TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

SH8JB5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -8,5А; Idm: -34А; 2Вт; SO8
0.0
SH8JB5TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусSO8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8JB5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -8,5А; Idm: -34А; 2Вт; SO8" 1.

Показать еще 24 товара
Категории