Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
NTZD3154NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,54А; 0,25Вт; SOT563
0.0
NTZD3154NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT563 МонтажSMD
7306 ₽
Доступность: 1773 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTZD3154NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,54А; 0,25Вт; SOT563" 1.

NTZD3155CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTZD3155CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/1,7нC КорпусSOT563F
6338 ₽
Доступность: 4826 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTZD3155CT2G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F
6162 ₽
Доступность: 3468 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F; ESD
0.0
NTZD5110NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
3521 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F; ESD" 1.

NVJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,14Вт
0.0
NVJD4401NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NVJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,14Вт" 1.

NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт
0.0
NVJD5121NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
4665 ₽
Доступность: 210 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт" 1.

NVTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
0.0
NVTJD4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
5810 ₽
Доступность: 2910 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NVTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

NX3008CBKS,115, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
0.0
NX3008CBKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/0,72нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
6602 ₽
Доступность: 5848 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NX3008CBKS,115, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт" 1.

NX3008CBKV,115, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 0,4/-0,22А; 1,09Вт
0.0
NX3008CBKV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/0,72нC КорпусSOT666 МонтажSMD
6778 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NX3008CBKV,115, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 0,4/-0,22А; 1,09Вт" 1.

NX3020NAKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
0.0
NX3020NAKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
4401 ₽
Доступность: 985 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NX3020NAKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт" 1.

NX3020NAKV,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 120мА; Idm: 0,8А; 375мВт
0.0
NX3020NAKV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT666 МонтажSMD
6426 ₽
Доступность: 864 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NX3020NAKV,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 120мА; Idm: 0,8А; 375мВт" 1.

NX6020CAKSX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой
0.0
NX6020CAKSX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяNX6020CAKSX Полярностьполевой
6338 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NX6020CAKSX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой" 1.

NX7002AKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 100мА; Idm: 0,68А; 330мВт
0.0
NX7002AKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,43нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
5018 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NX7002AKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 100мА; Idm: 0,68А; 330мВт" 1.

NX7002BKXBZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой
0.0
NX7002BKXBZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяNX7002BKXBZ Полярностьполевой
6954 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NX7002BKXBZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

P12LF10SLKD-5071, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт
0.0
P12LF10SLKD-5071
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусLF (MO235B similar) МонтажSMD
19190 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "P12LF10SLKD-5071, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт" 1.

PJL9850_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8
0.0
PJL9850-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOP8 МонтажSMD
7923 ₽
Доступность: 48 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJL9850_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8" 1.

PJQ4848P_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 120А; 39,6Вт
0.0
PJQ4848P-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
13996 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ4848P_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 120А; 39,6Вт" 1.

PJQ5844-AU_R2_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 28А; Idm: 180А; 19,2Вт
0.0
PJQ5844-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора17нC КорпусDFN5060-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5844-AU_R2_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 28А; Idm: 180А; 19,2Вт" 1.

PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт
0.0
PJQ5948-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
17254 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт" 1.

PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт
0.0
PJQ5948V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
17254 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт" 1.

PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
0.0
PJS6601-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6/5,4нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
5898 ₽
Доступность: 2780 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт" 1.

PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт
0.0
PJS6816-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
5810 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт" 1.

PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
0.0
PJS6839-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
3697 ₽
Доступность: 2949 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт" 1.

PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
0.0
PJT138K-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
4049 ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

Показать еще 24 товара
Категории