Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А
0.0
SISF06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
18838 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А" 1.

SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А
0.0
SISF20DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
27553 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А" 1.

SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А
0.0
SIZ200DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30/28нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
10387 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А" 1.

SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А
0.0
SIZ240DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/23нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
13468 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А" 1.

SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А
0.0
SIZ250DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
12324 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А" 1.

SIZ256DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А
0.0
SIZ256DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
12588 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ256DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А" 1.

SIZ260DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 24,7А; Idm: 60А
0.0
SIZ260DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
12324 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ260DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 24,7А; Idm: 60А" 1.

SIZ270DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А
0.0
SIZ270DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
14789 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ270DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А" 1.

SIZ300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А
0.0
SIZ300DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
12236 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А" 1.

SIZ320DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А
0.0
SIZ320DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,7нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
8627 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ320DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А" 1.

SIZ322DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30А; Idm: 100А
0.0
SIZ322DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,1нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
8011 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ322DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30А; Idm: 100А" 1.

SIZ340ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4/69,7А
0.0
SIZ340ADT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,9/12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
8011 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ340ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4/69,7А" 1.

SIZ340BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 36/69,3А
0.0
SIZ340BDT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5/12,6нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
6514 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ340BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 36/69,3А" 1.

SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30/40А
0.0
SIZ340DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/35нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
7835 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30/40А" 1.

SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А
0.0
SIZ342ADT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
7835 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А" 1.

SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А
0.0
SIZ342DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
9507 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 1.

SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А
0.0
SIZ346DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
6690 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А" 1.

SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А
0.0
SIZ348DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
11972 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 1.

SIZ350DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А
0.0
SIZ350DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
11796 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ350DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 1.

SIZ704DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт
0.0
SIZ704DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
14085 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ704DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт" 1.

SIZ710DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 16/35А; 27/48Вт
0.0
SIZ710DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/60нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
15933 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ710DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 16/35А; 27/48Вт" 1.

SIZ902DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50÷80А
0.0
SIZ902DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/65нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
16637 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ902DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50÷80А" 1.

SIZ904DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/33Вт
0.0
SIZ904DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
13116 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ904DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/33Вт" 1.

SIZ918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А
0.0
SIZ918DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/105нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
13908 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории