Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А
0.0
SI7288DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
27083 ₽
Доступность: 2725 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А" 1.

SI7540ADP-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 12/-9А
0.0
SI7540ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48/27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
28220 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7540ADP-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 12/-9А" 1.

SI7900AEDN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 8,5А; Idm: 30А
0.0
SI7900AEDN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7900AEDN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 8,5А; Idm: 30А" 1.

SI7900AEDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 8,5А; Idm: 30А
0.0
SI7900AEDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7900AEDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 8,5А; Idm: 30А" 1.

SI7904BDN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 20А
0.0
SI7904BDN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7904BDN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 20А" 1.

SI7904BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 20А
0.0
SI7904BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7904BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 20А" 1.

SI7913DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,4А; 2,8Вт
0.0
SI7913DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7913DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,4А; 2,8Вт" 1.

SI7913DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,4А; 2,8Вт
0.0
SI7913DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7913DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,4А; 2,8Вт" 1.

SI7922DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,5А; Idm: 10А
0.0
SI7922DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7922DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,5А; Idm: 10А" 1.

SI7922DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,5А; Idm: 10А
0.0
SI7922DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7922DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,5А; Idm: 10А" 1.

SI7923DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,4А; 2,8Вт
0.0
SI7923DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7923DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,4А; 2,8Вт" 1.

SI7923DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,4А; 2,8Вт
0.0
SI7923DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7923DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,4А; 2,8Вт" 1.

SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А
0.0
SI7938DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
28030 ₽
Доступность: 2816 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А" 1.

SI7942DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А
0.0
SI7942DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7942DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

SI7942DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А
0.0
SI7942DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7942DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

SI7946ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А
0.0
SI7946ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7946ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А" 1.

SI7949DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А
0.0
SI7949DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

SI7956DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А
0.0
SI7956DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7956DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А" 1.

SI7956DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А
0.0
SI7956DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7956DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,1А; Idm: 20А" 1.

SI7972DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 8А; Idm: 40А
0.0
SI7972DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7972DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 8А; Idm: 40А" 1.

SI7994DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 60А
0.0
SI7994DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7994DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 60А" 1.

SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт
0.0
SI7997DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
36553 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт" 1.

SI7998DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 25/30А; 22/40Вт
0.0
SI7998DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7998DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 25/30А; 22/40Вт" 1.

SI8902AEDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 24В; 11А; Idm: 40А
0.0
SI8902AEDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток24В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI8902AEDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 24В; 11А; Idm: 40А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории