Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
0.0
PJS6839-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
3977 ₽
Доступность: 2949 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт" 1.

PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
0.0
PJT138K-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
4356 ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
0.0
PJT7600-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
7955 ₽
Доступность: 2695 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7600-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7600_S1_00001
4924 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
0.0
PJT7603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
5208 ₽
Доступность: 2900 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт" 1.

PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7605-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7605-AU_R1_000A1
16098 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
0.0
PJT7800-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT363 МонтажSMD
7955 ₽
Доступность: 5985 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363" 1.

PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
0.0
PJT7801-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
4924 ₽
Доступность: 2845 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт" 1.

PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт
0.0
PJT7828-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD
6629 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт" 1.

PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт
0.0
PJT7838-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95нC КорпусSOT363 МонтажSMD
3977 ₽
Доступность: 7664 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт" 1.

PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
0.0
PJX138K-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
3030 ₽
Доступность: 3975 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563
0.0
PJX138L-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD Обозначение производителяPJX138L_R1_00002
9091 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563" 1.

PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
0.0
PJX8603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
3125 ₽
Доступность: 3700 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт" 1.

PMCM650CUNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 16А; ESD
0.0
PMCM650CUNEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Конструкция диодаобщий сток
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMCM650CUNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 16А; ESD" 1.

PMCPB5530X,115, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 5,3/-4,5А
0.0
PMCPB5530X.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,7/12,2нC КорпусDFN2020-6, HUSON6, SOT1118 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMCPB5530X,115, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 5,3/-4,5А" 1.

PMCXB1000UEZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 30/-30В; 590/-410мА; ESD
0.0
PMCXB1000UEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,05/1,2нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMCXB1000UEZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 30/-30В; 590/-410мА; ESD" 1.

PMCXB900UELZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 400/-300мА; ESD
0.0
PMCXB900UELZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора700пC/2,1нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMCXB900UELZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 400/-300мА; ESD" 1.

PMCXB900UEZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 400/-300мА; ESD
0.0
PMCXB900UEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора700пC/2,1нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMCXB900UEZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 400/-300мА; ESD" 1.

PMDPB30XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 12А
0.0
PMDPB30XN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,7нC КорпусDFN2020-6, HUSON6, SOT1118 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMDPB30XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 12А" 1.

PMDPB30XNZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 12А
0.0
PMDPB30XNZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,7нC КорпусDFN2020-6, HUSON6, SOT1118 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMDPB30XNZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 12А" 1.

PMDPB55XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -14А
0.0
PMDPB55XP.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDFN2020-6, HUSON6, SOT1118 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMDPB55XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -14А" 1.

PMDPB56XNEAX, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 30В; 2А; Idm: 12А; ESD
0.0
PMDPB56XNEAX
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусDFN2020D-6, SOT1118D
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMDPB56XNEAX, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 30В; 2А; Idm: 12А; ESD" 1.

PMDPB58UPE,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -14,4А
0.0
PMDPB58UPE.115
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусDFN2020-6, HUSON6, SOT1118
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMDPB58UPE,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -14,4А" 1.

PMDPB70XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -1,9А; Idm: -11,6А
0.0
PMDPB70XP.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусDFN2020-6, HUSON6, SOT1118 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMDPB70XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -1,9А; Idm: -11,6А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории