PMDPB30XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 12А

PMDPB30XN.115
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "PMDPB30XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 2,6А; Idm: 12А" 1.

Артикул производителя
PMDPB30XN,115 NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21,7нC
Корпус
DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
PMDPB30XN,115
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Сопротивление в открытом состоянии
69мОм
Технология
Trench
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
2,6А
Ток стока в импульсном режиме
12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены