Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А

0.0

КОД:

SI3590DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5/6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А" 1.

SI3932DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,7А; Idm: 15А

0.0

КОД:

SI3932DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI3932DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,7А; Idm: 15А" 1.

SI4214DDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8,5А; Idm: 30А

0.0

КОД:

SI4214DDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4214DDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8,5А; Idm: 30А" 1.

SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт

0.0

КОД:

SI4228DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD

148⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт" 1.

SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4288DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусSO8 МонтажSMD

365⁵³ ^₽

Доступность: 4549 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8" 1.

SI4501BDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-8В; 12/-8А; SO8

0.0

КОД:

SI4501BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42/25нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4501BDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-8В; 12/-8А; SO8" 1.

SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А

0.0

КОД:

SI4532CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8 МонтажSMD

144⁸⁹ ^₽

Доступность: 1638 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А" 1.

SI4542DY, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

0.0

КОД:

SI4542DY

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4542DY, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8

0.0

КОД:

SI4554DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63/20нC КорпусSO8 МонтажSMD

134⁴⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8" 1.

SI4559ADY-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А

0.0

КОД:

SI4559ADY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/20нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 1.

SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А

0.0

КОД:

SI4559ADY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/22нC КорпусSO8 МонтажSMD

178⁹⁸ ^₽

Доступность: 2096 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 1.

SI4564DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А

0.0

КОД:

SI4564DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31/63нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4564DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А" 1.

SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт

0.0

КОД:

SI4590DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/11,6нC КорпусSO8 МонтажSMD

147⁷³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт" 1.

SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А

0.0

КОД:

SI4599DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38/20нC КорпусSO8 МонтажSMD

158¹⁴ ^₽

Доступность: 2479 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А" 1.

SI4670DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А

0.0

КОД:

SI4670DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4670DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А" 1.

SI4804CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А

0.0

КОД:

SI4804CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4804CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А" 1.

SI4816BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SI4816BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/18нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4816BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В" 1.

SI4816BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SI4816BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/18нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4816BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; полевой; 30В" 1.

SI4900DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI4900DY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4900DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А" 1.

SI4900DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI4900DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4900DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А" 1.

SI4904DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI4904DY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4904DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А" 1.

SI4904DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI4904DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4904DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А" 1.

SI4922BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А

0.0

КОД:

SI4922BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4922BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А" 1.

SI4922BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А

0.0

КОД:

SI4922BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4922BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А" 1.