Товары из категории транзисторы многоканальные

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
2N7002BKS.115
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6
44.27 
Доступность: 1941 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002BKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А" 1.

0.0
2N7002BKV.115
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSOT666
59.29 
Доступность: 2933 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002BKV,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А" 1.

0.0
2N7002DW-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.94 
Доступность: 2428 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002DW-7-F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363" 1.

0.0
2N7002DW-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
52.96 
Доступность: 1894 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002DW-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363" 1.

0.0
2N7002DW-ONS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
51.38 
Доступность: 2124 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002DW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт" 1.

0.0
2N7002DWH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
46.64 
Доступность: 6065 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363" 1.

0.0
2N7002DWK-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителя2N7002DWK-7 Полярностьполевой
93.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2N7002DWK-7, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

0.0
2N7002DWS-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителя2N7002DWS-7 Полярностьполевой
58.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2N7002DWS-7, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

0.0
2N7002KDW-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363 МонтажSMD
30.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2N7002KDW_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 115мА; Idm: 800мА; 120мВт" 1.

0.0
2N7002KDW-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363 МонтажSMD
39.53 
Доступность: 3088 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002KDW-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт" 1.

0.0
2N7002KDW-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
60.08 
Доступность: 2158 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002KDW-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,34А; 0,3Вт; SOT363; ESD" 1.

0.0
2N7002PS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
43.48 
Доступность: 1830 шт.
+

Минимальное количество для товара "2N7002PS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А" 1.

0.0
2N7002PV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT666 МонтажSMD
53.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2N7002PV,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,25А; Idm: 1,2А" 1.

0.0
2N7002V-ONS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
76.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2N7002V, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,28А; Idm: 1,5А; 0,25Вт" 1.

0.0
2N7002VAC-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителя2N7002VAC-7 Полярностьполевой
61.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2N7002VAC-7, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

0.0
2N7002VC-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителя2N7002VC-7 Полярностьполевой
63.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2N7002VC-7, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

0.0
AO4606
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
30.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO4606, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 3000.

0.0
AO4611
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора24,2/22,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
155.73 
Доступность: 1271 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4611, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

0.0
AO4612
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора4,3/8нC КорпусSO8 МонтажSMD
126.48 
Доступность: 3426 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4612, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

0.0
AO4614B
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора17/8,9нC КорпусSO8 МонтажSMD
43.48 
Доступность: 860 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4614B, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В" 3.

0.0
AO4616
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора7,5/9,6нC КорпусSO8 МонтажSMD
100.40 
Доступность: 2554 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4616, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

0.0
AO4620
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора3,5/6,7нC КорпусSO8 МонтажSMD
93.28 
Доступность: 2602 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4620, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

0.0
AO4629
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора2,55/4,6нC КорпусSO8 МонтажSMD
46.64 
Доступность: 5948 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4629, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 3.

0.0
AO4803A
Вид каналаобогащенный Заряд затвора4,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
42.69 
Доступность: 2240 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4803A, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8" 3.

0.0
AO4805
Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
120.16 
Доступность: 2175 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4805, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO4807
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
124.11 
Доступность: 498 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4807, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO4812
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAO4812 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO4812, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
AO4813
Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
90.12 
Доступность: 2861 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4813, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO4822A
Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
182.61 
Доступность: 703 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4822A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO4828
Вид каналаобогащенный Заряд затвора4,3нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
120.16 
Доступность: 2216 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4828, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8" 1.

0.0
AO4832
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
170.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO4832, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO4838
Вид каналаобогащенный Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
50.59 
Доступность: 62 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4838, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO4840E
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусSO8 МонтажSMD
26.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO4840E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; 2Вт; SO8; ESD" 3000.

0.0
AO4842
Вид каналаобогащенный Заряд затвора3,5нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.48 
Доступность: 1580 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4842, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8" 3.

0.0
AO4862
Вид каналаобогащенный Заряд затвора2нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
60.08 
Доступность: 2964 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4862, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8" 3.

0.0
AO4862E
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора2нC КорпусSO8 МонтажSMD
58.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO4862E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8; ESD" 3.

0.0
AO4882
Вид каналаобогащенный Заряд затвора3нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
51.38 
Доступность: 2941 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4882, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8" 3.

0.0
AO4884
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13,6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO4884, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO4892
Вид каналаобогащенный Заряд затвора3нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.48 
Доступность: 2990 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO4892, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
AO6601
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора4,7/2,8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
41.90 
Доступность: 3018 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO6601, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 3.

0.0
AO6602G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора2,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
12.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO6602G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 3000.

0.0
AO6604
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора8,5/2,9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
43.48 
Доступность: 2344 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO6604, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 3.

0.0
AO6608
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
41.90 
Доступность: 3079 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO6608, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 3.

0.0
AO6800
Вид каналаобогащенный Заряд затвора4,7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
43.48 
Доступность: 1744 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO6800, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,7А; 730мВт; TSOP6" 3.

0.0
AO6802
Вид каналаобогащенный Заряд затвора2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
34.78 
Доступность: 2132 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO6802, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6" 3.

0.0
AO7800
Вид каналаобогащенный Заряд затвора1,57нC КорпусSC70-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
12.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO7800, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,7А; 190мВт; SC70-6" 6000.

0.0
AO8808A
Вид каналаобогащенный Заряд затвора17,9нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTSSOP8 МонтажSMD
156.52 
Доступность: 2150 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO8808A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт" 1.

0.0
AO8814
Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,4нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTSSOP8 МонтажSMD
51.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO8814, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6А; 960мВт; TSSOP8" 3000.

0.0
AO8820
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTSSOP8 МонтажSMD
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO8820, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,5А; 960мВт; TSSOP8" 3000.

0.0
AO8822
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTSSOP8 МонтажSMD
45.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AO8822, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,5А; 960мВт; TSSOP8" 3000.

0.0
AO9926C
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
49.01 
Доступность: 1938 шт.
+

Минимальное количество для товара "AO9926C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8" 3.

0.0
AOC2804
Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC КорпусDFN4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2804, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 4А; 700мВт; DFN4" 3000.

0.0
AOC2804B
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN4
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2804B, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,3Вт; DFN4; общий сток; ESD" 3.

0.0
AOC2806
Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,5нC КорпусDFN4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
55.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2806, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 4,5А; 700мВт; DFN4" 3.

0.0
AOC3860A
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
145.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3860A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 1.

0.0
AOC3862
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3862, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 5000.

0.0
AOC3868
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора35нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
59.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3868, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 5000.

0.0
AOC3870A
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора32нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN10
72.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3870A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,3Вт; DFN10; общий сток" 8000.

0.0
AOC3878
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора60нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN10
75.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3878, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 3,1Вт; DFN10; общий сток" 5000.

0.0
AOCA24106E
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOCA24106E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,7Вт; DFN6; общий сток; ESD" 8000.

0.0
AOCA24108E
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
54.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOCA24108E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,2Вт; DFN6; общий сток; ESD" 8000.

0.0
AOD603A
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора3,8/7,4нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTO252-4
153.36 
Доступность: 521 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOD603A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

0.0
AOD607A
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора6,7нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTO252-4
126.48 
Доступность: 1810 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOD607A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

0.0
AOD609
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора8,3/16,2нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTO252-4
126.48 
Доступность: 1010 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOD609, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В" 1.

0.0
AOD609G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOD609G Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
40.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOD609G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 2500.

0.0
AOE6930
Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
229.25 
Доступность: 227 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOE6930, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AOE6932
Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
151.78 
Доступность: 2336 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOE6932, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AOE6936
Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
80.63 
Доступность: 1548 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOE6936, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 35/67А; 9,6/15Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON2802
Вид каналаобогащенный Заряд затвора2,6нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
27.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON2802, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,6А; 1,3Вт; DFN6" 3000.

0.0
AON2810
Вид каналаобогащенный Заряд затвора2,2нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON2810, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,6А; 1,6Вт; DFN6" 3000.

0.0
AON3611
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора2/4,6нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN8
23.72 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON3611, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

0.0
AON3814
Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN8 МонтажSMD
56.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON3814, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,3А; 1,6Вт; DFN8" 3000.

0.0
AON3816
Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN8 МонтажSMD
54.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON3816, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,1А; 1,6Вт; DFN8" 3000.

0.0
AON3818
Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
33.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON3818, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6А; 1,7Вт; DFN8" 3000.

0.0
AON3820
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,5нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN3x3
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON3820, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6,2А; 1,3Вт; DFN3x3; ESD" 3.

0.0
AON4803
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,1нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON4803, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,7А; 1,1Вт; DFN8" 3.

0.0
AON5816
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2x5
57.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON5816, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 1Вт; DFN2x5; общий сток" 5000.

0.0
AON5820
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,5нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
77.47 
Доступность: 5000 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON5820, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; общий сток" 1.

0.0
AON6661
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора9,6нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6661, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 3000.

0.0
AON6667
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора7,1нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
126.48 
Доступность: 2581 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6667, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

0.0
AON6810
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN5x6
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6810, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 16А; 12,5Вт; DFN5x6; ESD" 1.

0.0
AON6812
Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN5x6 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6812, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22А; 12,5Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6816
Вид каналаобогащенный Заряд затвора19,7нC КорпусDFN5x6B МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
56.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6816, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 13А; 8Вт; DFN5x6B" 3000.

0.0
AON6884
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13,6нC КорпусDFN5x6 EP2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
150.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6884, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 21А; 8Вт; DFN5x6 EP2" 1.

0.0
AON6906A
Вид каналаобогащенный Заряд затвора3,3/3,5нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
137.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6906A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 23/30А; 12,5/18Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6926
Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5/8нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6926, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 28/32А; 12,5/14Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6934A
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,8/17нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
110.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6934A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22/28А; 12/13Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6946
Вид каналаобогащенный Заряд затвора3,9/6нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6B МонтажSMD
48.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6946, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 12/14А; 2,9/5,2Вт; DFN5x6B" 3.

0.0
AON6980
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,4/21нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6B МонтажSMD
110.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON6980, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22/28А; 9,4/13Вт; DFN5x6B" 1.

0.0
AON6992
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21/6,1нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6D МонтажSMD
157.31 
Доступность: 161 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6992, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 67/31А; 18/8Вт; DFN5x6D" 1.

0.0
AON6996
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
63.24 
Доступность: 2168 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6996, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 31/38А; 8,3/8,6Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6998
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
77.47 
Доступность: 2186 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6998, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 31/54А; 8/13Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON7611
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора4,6/2нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN3x3 EP
18.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON7611, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 5000.

0.0
AON7804
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусDFN3x3A DUAL МонтажSMD
117.00 
Доступность: 2682 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON7804, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD" 1.

0.0
AON7810
Вид каналаобогащенный Заряд затвора4,3нC КорпусDFN3x3 DUAL МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
101.19 
Доступность: 31 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON7810, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5А; 8Вт; DFN3x3 DUAL" 1.

0.0
AON7934
Вид каналаобогащенный Заряд затвора3,9/6нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN3x3A МонтажSMD
126.48 
Доступность: 4324 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON7934, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A" 1.

0.0
AOND32324
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора14нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
74.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOND32324, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 3000.

0.0
AONH36328
Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN3x3A МонтажSMD
48.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONH36328, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 18А; Idm: 40А; 9,2Вт; DFN3x3A" 5000.

0.0
AONP36336
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONP36336 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
88.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONP36336, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
AONY36304
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6D МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20/±12В
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONY36304, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 32/52А; 8,5/12,5Вт; DFN5x6D" 3000.

0.0
AONY36352
Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
149.41 
Доступность: 2514 шт.
+

Минимальное количество для товара "AONY36352, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AONY36356
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONY36356 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
56.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONY36356, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
AOSD21311C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOSD21311C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOSD21311C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
AOSD21313C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOSD21313C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
31.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOSD21313C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
AOSD26313C
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора33нC КорпусSO8
54.55 
Доступность: 2962 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOSD26313C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; -30/30В" 3.

0.0
AOSD32334C
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора12нC КорпусSO8 МонтажSMD
18.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOSD32334C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,4А; Idm: 34А; 1,1Вт; SO8" 3000.

0.0
AOSD62666E
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
126.48 
Доступность: 2752 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOSD62666E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 7,5А; 1,6Вт; SO8; ESD" 1.

0.0
AOTE21115C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOTE21115C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
27.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOTE21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
ARF475FL
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкитуба Выходная мощность900Вт Конструкция диодаобщий источник
37 596.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "ARF475FL, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ" 1.

0.0
BSD235CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
64.82 
Доступность: 2659 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD235CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт" 1.

0.0
BSD235NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
51.38 
Доступность: 454 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD235NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSD840NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
56.92 
Доступность: 3911 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD840NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSL214NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
43.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSL214NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; TSOP6" 3.

0.0
BSL215CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
101.19 
Доступность: 2367 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSL215CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт" 1.

0.0
BSL308CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30/-30В
105.93 
Доступность: 2744 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSL308CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт" 1.

0.0
BSL308PEH6327XTSA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
94.07 
Доступность: 1942 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSL308PEH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD" 1.

0.0
BSL316CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30/-30В
71.15 
Доступность: 1530 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSL316CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт" 1.

0.0
BSS138BKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
56.92 
Доступность: 2784 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS138BKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,21А; 320мВт" 1.

0.0
BSS138DW-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
68.77 
Доступность: 3240 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS138DW-7-F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,2А; 0,2Вт; SOT363" 1.

0.0
BSS138PS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
55.34 
Доступность: 10067 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS138PS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 200мА; Idm: 1,2А; 420мВт" 1.

0.0
BSS8402DW-7-F
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
96.44 
Доступность: 481 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS8402DW-7-F, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-50В" 1.

0.0
BSS8402DWQ-13
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкикатушка 13 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
41.90 
Доступность: 7602 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS8402DWQ-13, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-50В" 3.

0.0
BSS84AKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
45.06 
Доступность: 1058 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS84AKS,115, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,1А; 445мВт" 1.

0.0
BSS84AKV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35нC КорпусSOT666 МонтажSMD
58.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSS84AKV,115, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -110мА; Idm: -0,7А; 500мВт" 1.

0.0
BSS84DW-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSS84DW-7-F, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,13А; 0,3Вт; SOT363" 1.

0.0
BSS84DWQ-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
23.72 
Доступность: 1835 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS84DWQ-7, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,13А; 0,3Вт; SOT363" 5.

0.0
BSS84V-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT563 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
42.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSS84V-7, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -130мА; 150мВт; SOT563" 3.

0.0
BSZ15DC02KDHXTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
203.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт" 1.

0.0
BUK7K13-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30,1нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
249.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K13-60EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 38А; Idm: 213А; 64Вт" 1.

0.0
BUK7K134-100EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K134-100EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,9А; Idm: 39А; 32Вт" 1.

0.0
BUK7K15-80EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35,1нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
320.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K15-80EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 16А; Idm: 92А; 68Вт" 1.

0.0
BUK7K17-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBUK7K17-60EX Полярностьполевой
173.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K17-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BUK7K17-80EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32,4нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
178.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K17-80EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 15А; Idm: 84А; 64Вт" 1.

0.0
BUK7K18-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
92.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K18-40EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 22А; Idm: 127А; 38Вт" 1.

0.0
BUK7K23-80EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,8нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
153.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K23-80EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 12А; Idm: 68А; 53Вт" 1.

0.0
BUK7K32-100EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
216.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K32-100EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 20,4А; Idm: 116А; 64Вт" 1.

0.0
BUK7K35-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,5нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
163.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K35-60EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 17А; Idm: 95А; 38Вт" 1.

0.0
BUK7K45-100EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,9нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
167.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K45-100EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 15А; Idm: 84А; 53Вт" 1.

0.0
BUK7K52-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
117.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K52-60EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 12,6А; Idm: 71А; 32Вт" 1.

0.0
BUK7K5R6-30E.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,7нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
229.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K5R6-30E,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 40А; Idm: 314А; 64Вт" 1.

0.0
BUK7K6R2-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBUK7K6R2-40EX Полярностьполевой
245.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K6R2-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BUK7K8R7-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBUK7K8R7-40EX Полярностьполевой
221.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK7K8R7-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BUK9K13-40HX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,4нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
167.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K13-40HX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А; 46Вт" 1.

0.0
BUK9K13-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,4нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
226.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K13-60EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 33А; Idm: 190А; 64Вт" 1.

0.0
BUK9K134-100EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBUK9K134-100EX Полярностьполевой
151.78 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K134-100EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BUK9K17-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBUK9K17-60EX Полярностьполевой
178.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K17-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BUK9K18-40E.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
154.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K18-40E,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 24А; Idm: 124А; 38Вт" 1.

0.0
BUK9K22-80EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,1нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
245.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K22-80EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 15А; Idm: 84А; 64Вт" 1.

0.0
BUK9K30-80EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,5нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
199.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K30-80EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 12А; Idm: 68А; 53Вт" 1.

0.0
BUK9K35-60RAX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
151.78 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K35-60RAX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 16А; Idm: 90А; 38Вт" 1.

0.0
BUK9K45-100E.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33,5нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
184.98 
Доступность: 1126 шт.
+

Минимальное количество для товара "BUK9K45-100E,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 15А; Idm: 83А; 53Вт" 1.

0.0
BUK9K52-60E.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBUK9K52-60E,115 Полярностьполевой
90.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K52-60E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BUK9K52-60RAX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
150.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K52-60RAX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 11А; Idm: 64А; 32Вт" 1.

0.0
BUK9K5R6-30EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,6нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
235.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K5R6-30EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 40А; Idm: 305А; 64Вт" 1.

0.0
BUK9K6R2-40E.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBUK9K6R2-40E,115 Полярностьполевой
221.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K6R2-40E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BUK9K6R8-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,2нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
218.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K6R8-40EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 40А; Idm: 265А; 64Вт" 1.

0.0
BUK9K89-100E.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,8нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
163.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K89-100E,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 8,9А; Idm: 50А; 38Вт" 1.

0.0
BUK9K8R7-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,7нC КорпусLFPAK33, SOT1210 МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BUK9K8R7-40EX, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 30А; Idm: 211А; 53Вт" 1.

0.0
BXT280N02B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
32.41 
Доступность: 509 шт.
+

Минимальное количество для товара "BXT280N02B, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8" 1.

0.0
CSD75208W1015T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий источник КорпусDSBGA6
184.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD75208W1015T, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт" 1.

Показать еще 160 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж