Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.11

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
FDS9934C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8
122.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
FDS9945
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
96.12 
Доступность: 438 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
FDS9958
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSO8 МонтажSMD
168.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
FDY1002PZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
93.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

0.0
FMM150-0075X2F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 606.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

0.0
FMM22-05PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 381.40 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

0.0
FMM22-06PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 071.32 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

0.0
FMM50-025TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 069.77 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

0.0
FMM75-01F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 196.90 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

0.0
FQS4901TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
193.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
248.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
131.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

0.0
IPG20N04S408
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
260.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

0.0
IPG20N04S409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

0.0
IRF7101TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
44.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7101TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,5А; 2Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7103TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток50В
166.67 
Доступность: 2248 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7103TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 3А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7105TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
76.74 
Доступность: 2778 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7105TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7309TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
137.21 
Доступность: 2205 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7309TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7313TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
154.26 
Доступность: 3479 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7314TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-20В
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7314TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5,3А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7316TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
214.73 
Доступность: 3129 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7316TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7342TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
220.93 
Доступность: 3991 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7342TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7343TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
204.65 
Доступность: 3941 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7343TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7351TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
226.36 
Доступность: 2986 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7351TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 8А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7379TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
48.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7379TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7380TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток80В
89.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7380TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,6А; 2Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7501TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
34.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7501TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,4А; 1,2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7504TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-20В
28.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7504TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,7А; 1,25Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7506TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
36.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7506TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7530TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
53.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7530TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,4А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
IRF8313TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF8313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,7А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF8910TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
128.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF8910TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF9389TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
86.05 
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF9389TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRL6372TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
85.27 
Доступность: 2927 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRL6372TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
MCQD08N03A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOP8 МонтажSMD
78.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCQD08N03A-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,4А; Idm: 34А; 2,35Вт; SOP8" 1.

0.0
MKE38P600LB
Вид каналаобогащенный Время готовности660нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD
7 407.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс" 1.

0.0
MMBT7002DW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
31.01 
Доступность: 3210 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002DW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт" 1.

0.0
MMBT7002KDW-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363
22.48 
Доступность: 2753 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж