Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.17

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SP8K31FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
132.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K31HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
308.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K32HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
324.80 
Доступность: 1373 шт.
 

Минимальное количество для товара "SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K52FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
189.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8M10FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
142.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт" 1.

0.0
SP8M6FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9/5,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
132.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт" 1.

0.0
SP8M8FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
131.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт" 1.

0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
61.60 
Доступность: 4325 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

0.0
SQ4282EY-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
190.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 2500.

0.0
SQ4284EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
352.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8" 1.

0.0
SQ4940AEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусSO8 МонтажSMD
126.40 
Доступность: 382 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А" 1.

0.0
SQ4961EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
129.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт" 2500.

0.0
SQ9945BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
248.00 
Доступность: 826 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8" 1.

0.0
SQJ974EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
240.00 
Доступность: 2918 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJB70EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
177.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJQ900E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
364.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SQJQ960EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
416.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SSM6L12TU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUF6 МонтажSMD
44.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM6L12TU,LF(T, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 0,5/-0,5А; Idm: 1,5А" 3.

0.0
SSM6N15AFU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
25.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM6N15AFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,1А; 0,3Вт; SOT363" 5.

0.0
SSM6N35FE
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
25.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM6N35FE,LM(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563; ESD" 5.

0.0
SSM6N40TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусUF6 МонтажSMD
26.40 
Доступность: 330 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM6N40TU,LXGF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6" 3.

0.0
SSM6N7002CFU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27нC КорпусSC88
12.80 
Доступность: 3550 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM6N7002CFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD" 10.

0.0
SSM6N7002KFU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,39нC КорпусSC88
23.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM6N7002KFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; 285мВт; SC88; ESD" 5.

0.0
STL36DN6F7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL36DN6F7 Полярностьполевой
144.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL36DN6F7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL38DN6F7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL38DN6F7AG Полярностьполевой
198.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL38DN6F7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL40DN3LLH5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL40DN3LLH5 Полярностьполевой
259.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL40DN3LLH5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL50DN6F7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL50DN6F7 Полярностьполевой
275.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL50DN6F7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL52DN4LF7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL52DN4LF7AG Полярностьполевой
200.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL52DN4LF7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL64DN4F7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL64DN4F7AG Полярностьполевой
227.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL64DN4F7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL66DN3LLH5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL66DN3LLH5 Полярностьполевой
331.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL66DN3LLH5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL76DN4LF7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL76DN4LF7AG Полярностьполевой
252.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL76DN4LF7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL7DN6LF3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL7DN6LF3 Полярностьполевой
292.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL7DN6LF3, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL8DN10LF3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL8DN10LF3 Полярностьполевой
377.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL8DN10LF3, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL8DN6LF3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL8DN6LF3 Полярностьполевой
270.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL8DN6LF3, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL8DN6LF6AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL8DN6LF6AG Полярностьполевой
217.60 
Доступность: 2930 шт.
 

Минимальное количество для товара "STL8DN6LF6AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STS4DNF60L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
376.00 
Доступность: 385 шт.
 

Минимальное количество для товара "STS4DNF60L, Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
STS5DNF20V
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
42.40 
Доступность: 307 шт.
 

Минимальное количество для товара "STS5DNF20V, Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; полевой; 20В; 5А; 1,6Вт; SO8" 1.

0.0
TPCP8303
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPS8
129.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPCP8303,LF(CM, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; 1,48Вт; PS8; ESD" 1.

0.0
TPS1120D
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора5,45нC КорпусSO8
374.40 
Доступность: 75 шт.
 

Минимальное количество для товара "TPS1120D, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -15В; -0,53А; Idm: 7А; SO8; ESD" 1.

0.0
TQM076NH04DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора19нC КорпусPDFN56U МонтажSMD
296.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TQM076NH04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 40А; 55,6Вт; PDFN56U" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж