Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

FDS9934C

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8

‍134‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS9945

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍105‍ ₽

Доступность: 2292 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS9958

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍184‍ ₽

Доступность: 672 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8" 1.

FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F

0.0

КОД:

FDY1002PZ

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD

‍102‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А

0.0

КОД:

FMM150-0075X2F

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Конструкция диодадва последовательных диода

3 949 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А

0.0

КОД:

FMM22-05PF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Конструкция диодадва последовательных диода

3 703 ₽

Доступность: 23 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А

0.0

КОД:

FMM22-06PF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Конструкция диодадва последовательных диода

3 363 ₽

Доступность: 25 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс

0.0

КОД:

FMM50-025TF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Конструкция диодадва последовательных диода

3 362 ₽

Доступность: 25 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс

0.0

КОД:

FMM75-01F

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Конструкция диодадва последовательных диода

3 501 ₽

Доступность: 25 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FQS4901TF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍212‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8" 1.

HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8

0.0

КОД:

HP8KA1TB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8

‍224‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт

0.0

КОД:

HP8MA2TB1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD

‍272‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт

0.0

КОД:

HS8K11TB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD

‍144‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт

0.0

КОД:

HS8K1TB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD

‍138‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт

0.0

КОД:

IPG20N04S408

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍285‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт

0.0

КОД:

IPG20N04S409

Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍147‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

IRF7101TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

IRF7101TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В

‍48‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IRF7101TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,5А; 2Вт; SO8" 4000.

IRF7103TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 3А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

IRF7103TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток50В

‍183‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IRF7103TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 3А; 2Вт; SO8" 1.

IRF7105TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

IRF7105TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍84‍ ₽

Доступность: 3807 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IRF7105TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8" 1.

IRF7309TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

0.0

КОД:

IRF7309TRPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍150‍ ₽

Доступность: 2529 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IRF7309TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8" 1.