Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А

0.0

КОД:

PMDXB950UPEZ

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216

‍81‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А" 1.

PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт

0.0

КОД:

PMGD280UN.115

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,89нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD

‍44‍ ₽

Доступность: 2678 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт" 1.

PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

PMGD290UCEAX

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/1,14нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6

‍74‍ ₽

Доступность: 1155 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой

0.0

КОД:

PMGD290XN.115

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяPMGD290XN,115 Полярностьполевой

‍55‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

PMGD780SN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт

0.0

КОД:

PMGD780SN.115

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,05нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD

‍63‍ ₽

Доступность: 1349 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PMGD780SN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт" 1.

PSMN013-40VLDX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А

0.0

КОД:

PSMN013-40VLDX

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,4нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD

‍188‍ ₽

Доступность: 1500 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PSMN013-40VLDX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А" 1.

PSMN4R2-40VSHX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 69,5А; 85Вт

0.0

КОД:

PSMN4R2-40VSHX

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD

‍402‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PSMN4R2-40VSHX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 69,5А; 85Вт" 1.

QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8JA1TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍217‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8JB5TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍244‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт

0.0

КОД:

QH8JC5TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍284‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт" 1.

QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8K26TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусTSMT8

‍166‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8" 1.

QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8KA2TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍57‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8

0.0

КОД:

QH8KA4TCR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT8

‍257‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8KA4TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт

0.0

КОД:

QH8M22TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6/9,5нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍149‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8M22TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 4,5/-2А; Idm: 18А; 1,5Вт" 1.

QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт

0.0

КОД:

QH8MA2TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8/8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍154‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт" 1.

QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт

0.0

КОД:

QH8MA3TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍147‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-5,5А; Idm: 18А; 2,5Вт" 1.

QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт

0.0

КОД:

QH8MA4TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусTSMT8 МонтажSMD

‍217‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт" 1.

QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25

0.0

КОД:

QS5K2TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Конструкция диодаобщий источник

‍154‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25" 1.

QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6

0.0

КОД:

QS6J11TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTSMT6

‍122‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт

0.0

КОД:

QS6J1TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6

‍121‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт" 1.