Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ342ADT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍78‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А" 3000.

SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ342DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍93‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А

0.0

КОД:

SIZ346DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍66‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А" 3000.

SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ348DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍118‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

SIZ350DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ350DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍117‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ350DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

SIZ704DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт

0.0

КОД:

SIZ704DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍139‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ704DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт" 3000.

SIZ710DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 16/35А; 27/48Вт

0.0

КОД:

SIZ710DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/60нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍156‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ710DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 16/35А; 27/48Вт" 3000.

SIZ902DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50÷80А

0.0

КОД:

SIZ902DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/65нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍165‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ902DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50÷80А" 3000.

SIZ904DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/33Вт

0.0

КОД:

SIZ904DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍129‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ904DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/33Вт" 3000.

SIZ918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А

0.0

КОД:

SIZ918DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/105нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍138‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А" 3000.

SIZ926DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 40/60А

0.0

КОД:

SIZ926DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/41нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В

‍138‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ926DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 40/60А" 3000.

SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SIZ980BDT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/79нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍171‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SIZ980DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/77нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍165‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

SIZ998DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SIZ998DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/44,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍156‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ998DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

SIZF300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SIZF300DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/62нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍134‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZF300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А

0.0

КОД:

SIZF906ADT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍161‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А

0.0

КОД:

SIZF906DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍216‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В

0.0

КОД:

SIZF914DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/98нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В

‍183‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В" 3000.

SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SIZF916DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/95нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍163‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В

0.0

КОД:

SIZF918DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/56нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍165‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.