Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы многоканальные

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K31FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K31HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
‍327‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K32HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
‍345‍ ₽
Доступность: 2333 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K52FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
‍201‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт
0.0
SP8M10FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт" 1.

SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт
0.0
SP8M6FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9/5,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт" 1.

SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт
0.0
SP8M8FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍139‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт" 1.

SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА
0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
‍65‍ ₽
Доступность: 4521 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А
0.0
SQ4282EY-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍202‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 2500.

SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8
0.0
SQ4284EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍374‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8" 1.

SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А
0.0
SQ4940AEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍134‍ ₽
Доступность: 387 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А" 1.

SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт
0.0
SQ4961EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт" 2500.

SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8
0.0
SQ9945BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍263‍ ₽
Доступность: 831 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8" 1.

SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ974EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍255‍ ₽
Доступность: 2928 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJB70EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍188‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L
0.0
SQJQ900E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
‍387‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L
0.0
SQJQ960EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
‍441‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

SSM6L12TU,LF(T, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 0,5/-0,5А; Idm: 1,5А
0.0
SSM6L12TU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUF6 МонтажSMD
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SSM6L12TU,LF(T, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 0,5/-0,5А; Idm: 1,5А" 3.

SSM6N15AFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,1А; 0,3Вт; SOT363
0.0
SSM6N15AFU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍27‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SSM6N15AFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,1А; 0,3Вт; SOT363" 5.

SSM6N35FE,LM(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563; ESD
0.0
SSM6N35FE
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
‍27‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SSM6N35FE,LM(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563; ESD" 5.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)