Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.33

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SP8K31FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K31HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
304.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K32HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
320.95 
Доступность: 2331 шт.
+

Минимальное количество для товара "SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K52FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
187.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8M10FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт" 1.

0.0
SP8M6FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9/5,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт" 1.

0.0
SP8M8FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт" 1.

0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
60.87 
Доступность: 4341 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

0.0
SQ4282EY-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
188.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 2500.

0.0
SQ4284EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
347.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8" 1.

0.0
SQ4940AEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусSO8 МонтажSMD
124.90 
Доступность: 382 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А" 1.

0.0
SQ4961EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт" 2500.

0.0
SQ9945BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
245.06 
Доступность: 826 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8" 1.

0.0
SQJ974EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
237.15 
Доступность: 2918 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJB70EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJQ900E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
360.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SQJQ960EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
411.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SSM6L12TU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUF6 МонтажSMD
44.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SSM6L12TU,LF(T, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 0,5/-0,5А; Idm: 1,5А" 3.

0.0
SSM6N15AFU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SSM6N15AFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,1А; 0,3Вт; SOT363" 5.

0.0
SSM6N35FE
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SSM6N35FE,LM(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563; ESD" 5.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж