Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.110

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
NTD4805NT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
141.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD4805NT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 73А; Idm: 175А; 79Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD4858NT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,8нC КорпусDPAK МонтажSMD
127.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD4858NT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 56А; Idm: 146А; 54,5Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD4860NT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусDPAK МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD4860NT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 50А; Idm: 130А; 50Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD5802NT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусDPAK МонтажSMD
233.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD5802NT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12,7А; Idm: 300А; 2,5Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD600N80S3Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
388.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD600N80S3Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 21А; 60Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD6414ANT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
194.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD6414ANT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 117А; 100Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD6415ANLT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
390.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD6415ANLT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 16А; Idm: 80А; 83Вт; DPAK" 1.

0.0
NTDS015N15MCT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK МонтажSMD
303.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTDS015N15MCT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 11А; Idm: 246А; 3,8Вт; DPAK" 1.

0.0
NTDV20N06T4G-VF01
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC КорпусDPAK МонтажSMD
178.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTDV20N06T4G-VF01, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK" 1.

0.0
NTE4153NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
60.08 
Доступность: 4779 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4153NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; 0,3Вт; SC89" 1.

0.0
NTF3055-100T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
127.27 
Доступность: 1365 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF3055-100T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; 2,1Вт; SOT223" 1.

0.0
NTF3055L108T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT223 МонтажSMD
124.90 
Доступность: 1246 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTGS3130NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
135.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3130NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; Idm: 19А; 600мВт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3446T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
88.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3446T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS4141NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
86.17 
Доступность: 4619 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTGS4141NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTJS3157NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
65.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SC70-6,SC88,SOT363" 1.

0.0
NTK3043NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
30.83 
Доступность: 2596 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3043NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,185А; 0,44Вт; SOT723; ESD" 1.

0.0
NTK3134NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
60.87 
Доступность: 347 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3134NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,64А; 0,45Вт; SOT723" 1.

0.0
NTMFS5C670NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
422.13 
Доступность: 1654 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C670NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6" 1.

0.0
NTMFS5C673NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C673NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 23Вт; DFN5x6" 1500.

0.0
NTR3C21NZT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
60.87 
Доступность: 2975 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR3C21NZT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,6А; 0,47Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR4003NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
11.07 
Доступность: 6081 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4003NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,56А; 0,69Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR4003NT3G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
7.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,4А; 0,83Вт; SOT23" 10000.

0.0
NTR4170NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
62.45 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR4170NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж