Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.128

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
MMBFJ201
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBFJ201
64.03 
Доступность: 2507 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ201, Транзистор: N-JFET; полевой; 200мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ202
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBFJ202
67.19 
Доступность: 3405 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ202, Транзистор: N-JFET; полевой; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ309LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-25В Напряжение сток-исток25В
41.90 
Доступность: 4818 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ309LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

0.0
MMBFJ310LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-25В Напряжение сток-исток25В
71.15 
Доступность: 1803 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ310LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 24мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

0.0
MMBFU310LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-25В Напряжение сток-исток25В
76.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMBFU310LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 24мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

0.0
MMBT7002K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
14.23 
Доступность: 3509 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
MMBT7002K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
16.60 
Доступность: 8077 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
MMBT7002KW-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD
24.51 
Доступность: 2562 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002KW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323" 1.

0.0
MMFTN1092K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSOT23
105.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN1092K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN1092K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSOT23
99.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN1092K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN123-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
26.09 
Доступность: 2534 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN123, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт" 1.

0.0
MMFTN123K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT23
49.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN123K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,9Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN138-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
6.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23" 20.

0.0
MMFTN138-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
15.02 
Доступность: 1284 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN138K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSOT23
18.18 
Доступность: 2630 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN138K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSOT23
22.92 
Доступность: 2738 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN138W-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT323 МонтажSMD
13.44 
Доступность: 340 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 220мА; Idm: 0,88А; 0,2Вт; SOT323" 1.

0.0
MMFTN170-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
26.09 
Доступность: 2872 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN20-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN20, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,1А; 0,3Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTN210A-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
23.72 
Доступность: 2978 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN210A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 7,2А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж