Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.128

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
R6004END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусTO252 МонтажSMD
231.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252" 1.

0.0
R6007ENJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусD2PAK МонтажSMD
344.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6007ENJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; D2PAK" 1.

0.0
R6007JNJGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,5нC КорпусD2PAK МонтажSMD
401.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6007JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 21А; 96Вт; D2PAK" 1.

0.0
R6009JNJGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусD2PAK МонтажSMD
388.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6009JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; D2PAK" 1.

0.0
R6009KNJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC КорпусD2PAK МонтажSMD
294.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6009KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 94Вт; D2PAK" 1.

0.0
R6504KNJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусD2PAK МонтажSMD
338.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6504KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 12А; 58Вт; D2PAK" 1.

0.0
RCJ120N20TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусD2PAK МонтажSMD
229.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RCJ120N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12А; Idm: 48А; 52Вт; D2PAK" 1.

0.0
RCJ160N20TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусD2PAK МонтажSMD
259.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RCJ160N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 16А; Idm: 64А; 85Вт; D2PAK" 1.

0.0
RCJ200N20TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
358.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RCJ200N20TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 20А; Idm: 80А; 106Вт; D2PAK" 1.

0.0
RCJ220N25TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусD2PAK МонтажSMD
444.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RCJ220N25TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 22А; Idm: 88А; 166Вт; D2PAK" 1.

0.0
RCJ330N25TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусD2PAK МонтажSMD
243.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RCJ330N25TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 33А; Idm: 132А; 211Вт; D2PAK" 1.

0.0
RD3G400GNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
117.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3G400GNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 80А; 26Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
RD3L050SNFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
205.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L050SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5А; Idm: 15А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
RD3L050SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
220.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5А; Idm: 15А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
RD3L080SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
198.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L080SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 16А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
RD3L150SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
241.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L150SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 15А; Idm: 30А; 20Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
RD3P050SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
173.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; Idm: 20А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
RD3P100SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
222.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P100SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
RD3P175SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
252.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт" 1.

0.0
RD3T075CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT416F МонтажSMD
267.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F" 1.

0.0
RE1C001UNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
45.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
RE1C002UNTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
31.62 
Доступность: 3194 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89" 1.

0.0
RE1J002YNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
49.01 
Доступность: 528 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
RE1L002SNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
42.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж