Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.134

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RUR040N02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
148.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RUR040N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
143.87 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RV1C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
27.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C002UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
49.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C010UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
64.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3" 1.

0.0
RV3C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0604-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
68.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт" 1.

0.0
RV8L002SNHZGG2CR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1010-3W МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
81.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W" 1.

0.0
RVQ040N05TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
121.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RXH090N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOP8 МонтажSMD
229.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RXH125N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
196.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RYC002N05T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
59.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RYM002N05T2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
61.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3" 1.

0.0
S1M1000170J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
507.51 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

0.0
S1M1000170JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
507.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

0.0
S2M0080120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусTOLL МонтажSMD
540.71 
Доступность: 34 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0080120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт; TOLL" 1.

0.0
S2M0120120J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29,6нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
893.28 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

0.0
S2M0120120JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 041.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

0.0
S2M0120120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC КорпусTOLL МонтажSMD
589.72 
Доступность: 49 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт; TOLL" 1.

0.0
S2M0160120J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора26,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
826.88 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт" 1.

0.0
S2M0160120JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
964.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт" 1.

0.0
S2M0160120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусTOLL МонтажSMD
509.09 
Доступность: 40 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0160120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 121Вт; TOLL" 1.

0.0
S3M0016120B-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора287нC КорпусT2PAK МонтажSMD
1 897.23 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0016120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 75А; Idm: 250А; 576Вт" 1.

0.0
S3M0025120B-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора175нC КорпусT2PAK МонтажSMD
2 308.30 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0025120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 200А; 394Вт" 1.

0.0
S3M0025120T-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC КорпусTOLL МонтажSMD
1 225.30 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "S3M0025120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж