Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.140

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIA468DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
48.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA468DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIA472EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
44.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA472EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

0.0
SIAA00DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
60.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA00DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIAA02DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
42.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт" 3000.

0.0
SIAA40DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
80.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA40DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 60А" 3000.

0.0
SIB406EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
47.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB406EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 15А; 10Вт" 3000.

0.0
SIB422EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
40.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB422EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 9А; Idm: 25А; 13Вт" 3000.

0.0
SIB452DK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
154.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB452DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIB456DK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
30.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB456DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,3А; Idm: 7А; 13Вт" 3000.

0.0
SIDR104ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
273.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR104AEP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
332.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104AEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 90,5А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR140DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
256.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIDR140DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
289.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIDR170DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
267.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR220DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
297.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR220DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIDR390DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
256.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR390DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIDR392DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
278.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR392DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
186.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR402DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
262.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIDR500EP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
366.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR500EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 421А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIDR510EP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
294.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR510EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 148А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIDR570EP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
322.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR570EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 90,9А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR5802EP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
276.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR5802EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 153А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIDR608DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC МонтажSMD Напряжение сток-исток45В
251.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж