Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.146

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHFR420ATR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420ATR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,1А; Idm: 10А; 83Вт" 1.

0.0
SIHFR420TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR420TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
169.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR420TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFR430A-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR430A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт" 1.

0.0
SIHFR430ATR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR430ATR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт" 1.

0.0
SIHFRC20-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFRC20-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFRC20TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
187.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFRC20TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHFS9N60A-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
350.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFS9N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,8А; Idm: 37А; 170Вт" 1.

0.0
SIHFZ34S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
135.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFZ34S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 21А; Idm: 120А; 88Вт" 1.

0.0
SIHFZ48RS-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
357.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFZ48RS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт" 1.

0.0
SIHFZ48S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
357.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFZ48S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт" 1.

0.0
SIHH068N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 195.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH068N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22А; Idm: 100А; 202Вт" 1.

0.0
SIHH070N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 293.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH070N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; Idm: 93А; 202Вт" 1.

0.0
SIHH080N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
817.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH080N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 96А; 184Вт" 1.

0.0
SIHH100N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
948.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH100N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 63А; 174Вт" 1.

0.0
SIHH105N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
754.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH105N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 59А; 174Вт" 3000.

0.0
SIHH11N60EF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
733.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH11N60EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 27А; 114Вт" 1.

0.0
SIHH11N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
736.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH11N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 27А; 130Вт" 1.

0.0
SIHH11N65EF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
736.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH11N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 27А; 130Вт" 1.

0.0
SIHH120N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
921.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH120N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 57А; 156Вт" 1.

0.0
SIHH125N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
988.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 66А; 156Вт" 1.

0.0
SIHH14N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
659.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; Idm: 38А; 147Вт" 1.

0.0
SIHH14N60EF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
749.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N60EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 38А; 147Вт" 1.

0.0
SIHH14N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
790.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 56Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж