Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.147

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHH14N65EF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
837.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,5А; Idm: 36А; 156Вт" 1.

0.0
SIHH180N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
700.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH180N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 114Вт" 1.

0.0
SIHH20N50E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
864.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH20N50E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 14А; Idm: 53А; 174Вт" 1.

0.0
SIHH21N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
679.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH21N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 48А; 104Вт" 1.

0.0
SIHH21N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора99нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 217.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH21N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,8А; Idm: 53А; 156Вт" 1.

0.0
SIHH21N65EF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 256.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH21N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,5А; Idm: 53А; 156Вт" 1.

0.0
SIHH24N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 214.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH24N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 58А; 202Вт" 1.

0.0
SIHH24N65EF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 245.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH24N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 55А; 202Вт" 1.

0.0
SIHH26N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
866.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH26N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 50А; 202Вт" 1.

0.0
SIHH27N60EF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 397.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH27N60EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 47А; 174Вт" 1.

0.0
SIHH28N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора129нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 198.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH28N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 76А; 202Вт" 1.

0.0
SIHJ10N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
436.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ10N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SIHJ240N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
460.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ240N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 89Вт" 1.

0.0
SIHJ690N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
376.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ690N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,5А; Idm: 11А; 48Вт" 1.

0.0
SIHJ6N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
352.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ6N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 74Вт" 1.

0.0
SIHJ7N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
415.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ7N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 17А; 96Вт" 1.

0.0
SIHJ8N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
442.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ8N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 89Вт" 1.

0.0
SIHK045N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
1 185.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 48А; Idm: 138А; 278Вт" 2000.

0.0
SIHK045N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
2 158.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт" 1.

0.0
SIHK055N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 310.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK055N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт" 1.

0.0
SIHK075N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 160.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK075N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт" 1.

0.0
SIHK125N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
648.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт" 2000.

0.0
SIHL510STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL510STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4А; Idm: 18А; 43Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHL530STRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL530STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж