Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.150

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIR170DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
202.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR172ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
43.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR172ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А" 3000.

0.0
SIR178DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR178DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 430А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIR180ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 137А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR180DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
191.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR182DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
170.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 117А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR182LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
191.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 130А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR184DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR184DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 73А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR186DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
117.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR186DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 57Вт" 3000.

0.0
SIR186LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
214.23 
Доступность: 1296 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR186LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIR188DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
135.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR188LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR402DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
118.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 36Вт" 3000.

0.0
SIR404DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
222.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR404DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR410DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
105.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR410DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт" 3000.

0.0
SIR416DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
135.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR416DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR418DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
132.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR418DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт" 3000.

0.0
SIR422DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
177.08 
Доступность: 2548 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR422DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 22,2Вт" 1.

0.0
SIR424DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
91.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR424DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 30А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIR426DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
185.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR426DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 70А; 26,7Вт" 1.

0.0
SIR438DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
227.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR4602LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
82.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4602LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,1А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR4604LDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
121.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4604LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 51А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR4606DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
221.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж