Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.155

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RFD14N05SM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
80.63 
Доступность: 5229 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD16N05LSM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK МонтажSMD
190.51 
Доступность: 2217 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 60Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD16N06LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусDPAK МонтажSMD
245.06 
Доступность: 137 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N06LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK" 1.

0.0
RFD3055LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,3нC КорпусDPAK МонтажSMD
96.44 
Доступность: 2499 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD3055LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 38Вт; DPAK" 1.

0.0
RHK003N06FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSMT3 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3" 1.

0.0
RHP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
58.50 
Доступность: 670 шт.
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

0.0
RHP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RHP030N03T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
158.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RHU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусUMT3 МонтажSMD
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RHU003N03FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RJK005N03FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSMT3 МонтажSMD
63.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

0.0
RJP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
146.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RJP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
127.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RJU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
46.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RJU003N03FRAT106
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
47.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

0.0
RK7002AT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSST3 МонтажSMD
15.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 10.

0.0
RK7002BMHZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
31.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RK7002BMT116
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
23.72 
Доступность: 2905 шт.
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD" 1.

0.0
RQ1C075UNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
RQ1E075XNTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж