Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.172

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SUD35N10-26P-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусTO252 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

0.0
SUD35N10-26P-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусTO252 МонтажSMD
237.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

0.0
SUD40N08-16-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO252 МонтажSMD
297.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD40N08-16-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 40А; Idm: 60А; 136Вт" 2000.

0.0
SUD50N03-06AP-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусTO252 МонтажSMD
83.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50N03-06AP-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 100А; 83Вт" 2000.

0.0
SUD50N04-8M8P-4GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
167.59 
Доступность: 2033 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50N04-8M8P-4GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт" 1.

0.0
SUD50N06-09L-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора47нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
357.31 
Доступность: 2157 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50N06-09L-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SUD70090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTO252 МонтажSMD
233.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 2000.

0.0
SUD80460E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO252 МонтажSMD
82.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD80460E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42А; Idm: 40А" 2000.

0.0
SUD90330E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO252 МонтажSMD
143.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,8А; Idm: 70А" 2000.

0.0
SUM10250E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора57,6нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
499.60 
Доступность: 656 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM10250E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 36,6А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM110N10-09-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
654.55 
Доступность: 734 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110N10-09-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 87А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM40010EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора230нC КорпусTO263 МонтажSMD
395.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40010EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM40012EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора195нC КорпусTO263 МонтажSMD
281.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40012EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 150А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM40014M-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора275нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
398.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40014M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А" 800.

0.0
SUM45N25-58-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусTO263 МонтажSMD
371.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM45N25-58-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 45А; Idm: 90А" 800.

0.0
SUM50010E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC КорпусTO263 МонтажSMD
392.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50010E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM50020E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусTO263 МонтажSMD
377.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM50020EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусTO263 МонтажSMD
349.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM60020E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора227нC КорпусTO263 МонтажSMD
357.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM60N10-17-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусTO263 МонтажSMD
449.01 
Доступность: 612 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM60N10-17-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 1.

0.0
SUM65N20-30-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
605.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM65N20-30-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 140А; 375Вт" 1.

0.0
SUM70030E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263 МонтажSMD
420.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM70030M-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
385.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM70040E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора76нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
387.35 
Доступность: 771 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM70040E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж