Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.177

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHJ8N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
442.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ8N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 89Вт" 1.

0.0
SIHK045N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
1 185.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 48А; Idm: 138А; 278Вт" 2000.

0.0
SIHK045N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
2 158.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт" 1.

0.0
SIHK055N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 310.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK055N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт" 1.

0.0
SIHK075N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 160.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK075N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт" 1.

0.0
SIHK125N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
648.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт" 2000.

0.0
SIHL510STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL510STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4А; Idm: 18А; 43Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHL530STRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL530STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт" 1.

0.0
SIHL620S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL620S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 21А; 50Вт" 1.

0.0
SIHL630STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
145.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL630STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт" 1.

0.0
SIHL640STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
287.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL640STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт" 1.

0.0
SIHLL014TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусSOT223 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLL014TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; Idm: 22А; 3,1Вт; SOT223" 1.

0.0
SIHLL110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусSOT223 МонтажSMD
105.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLL110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,93А; 3,1Вт; SOT223" 1.

0.0
SIHLR024TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLR024TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9,2А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHLR110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLR110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

0.0
SIHLZ44S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
316.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLZ44S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 150Вт" 1.

0.0
SIJ128LDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ128LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 25,5А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIJ150DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение сток-исток45В
118.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ150DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIJ186DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
128.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ186DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 79,4А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJ188DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
183.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ188DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 92,4А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж