Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.179

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIR104DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
262.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR104LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR106ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR106DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
191.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR108DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
162.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR108DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 45А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR112DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR112DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 133А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR120DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR120DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 106А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR122DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 59,6А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR122LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 62,3А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR124DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR124DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 56,8А; Idm: 120А" 3000.

0.0
SIR140DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
233.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIR150DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
83.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR150DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR158DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
208.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR158DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 400А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR158DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
252.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR158DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 400А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR164DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора123нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
150.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR164DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR166DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
145.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR166DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

0.0
SIR170DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
202.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR172ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
43.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR172ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А" 3000.

0.0
SIR178DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR178DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 430А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIR180ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 137А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж