Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.183

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIR668ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
246.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 93,6А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR668DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
256.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR668DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR670DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
132.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR670DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR680ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
245.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 125А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR680DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
246.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR680DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR680LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
238.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR680LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 130А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR688DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
211.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR688DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR690DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
178.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR690DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR690DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
237.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR690DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR692DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
192.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR692DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR696DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR696DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR698DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
124.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR698DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 10А" 3000.

0.0
SIR800ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
183.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR800ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
75.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR800DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
192.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR800DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
202.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR804DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
248.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR804DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR818DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
137.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR818DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR820DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
158.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR820DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIR826BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж