Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.186

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
WMM030N06HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM030N06HG4
147.83 
Доступность: 37 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM030N06HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM036N12HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM036N12HGS
183.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM036N12HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM037N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM037N10HGS
167.59 
Доступность: 106 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM037N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM03N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
56.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM03N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 2,5А; 29Вт; TO263" 1.

0.0
WMM040N08HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM040N08HGS
156.52 
Доступность: 98 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM040N08HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM040N15HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM040N15HG2
670.36 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM040N15HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM043N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM043N10HGS
156.52 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM043N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM048NV6HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM048NV6HG4
144.66 
Доступность: 70 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM048NV6HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM053N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM053N10HGS
147.04 
Доступность: 69 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM053N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM053NV8HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM053NV8HGS
146.25 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM053NV8HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM05N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
63.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO263" 1.

0.0
WMM06N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO263" 1.

0.0
WMM071N15HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM071N15HG2
445.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM071N15HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM07N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
72.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO263" 1.

0.0
WMM07N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
75.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO263" 1.

0.0
WMM07N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
75.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 6,8А; 55Вт; TO263" 1.

0.0
WMM08N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
90.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO263" 1.

0.0
WMM09N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
101.19 
Доступность: 612 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

0.0
WMM09N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
101.19 
Доступность: 618 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

0.0
WMM09N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
86.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM09N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 5,3А; 45Вт; TO263" 1.

0.0
WMM10N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
101.19 
Доступность: 573 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

0.0
WMM10N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
101.19 
Доступность: 576 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

0.0
WMM10N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
109.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM10N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 7,5А; 57Вт; TO263" 1.

0.0
WMM115N15HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM115N15HG4
181.82 
Доступность: 95 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж