Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.187

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
WMM11N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
117.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

0.0
WMM11N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
101.19 
Доступность: 571 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

0.0
WMM11N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
123.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO263" 1.

0.0
WMM11N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO263" 1.

0.0
WMM120N04TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM120N04TS
113.83 
Доступность: 90 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM12N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
169.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

0.0
WMM13N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
88.54 
Доступность: 610 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM13N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт; TO263" 1.

0.0
WMM14N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
91.70 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

0.0
WMM14N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусTO263 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM14N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 85Вт" 1.

0.0
WMM14N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
124.90 
Доступность: 239 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

0.0
WMM15N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
203.95 
Доступность: 240 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM15N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

0.0
WMM15N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
167.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM15N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

0.0
WMM161N15T2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM161N15T2
475.89 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM161N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM16N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
205.53 
Доступность: 298 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM16N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 13А; 86Вт; TO263" 1.

0.0
WMM16N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
178.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM16N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

0.0
WMM180N03TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM180N03TS
129.64 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM180N03TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM18N65EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTO263 МонтажSMD
273.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM18N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 8,6А; Idm: 43А; 125Вт" 1.

0.0
WMM190N03TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM190N03TS
116.21 
Доступность: 87 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM190N03TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM20N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
229.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM20N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 15А; 86Вт; TO263" 1.

0.0
WMM220N20HG3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM220N20HG3
490.12 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM220N20HG3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM25N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
382.61 
Доступность: 379 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM25N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 21А; 250Вт; TO263" 1.

0.0
WMM26N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусTO263 МонтажSMD
336.76 
Доступность: 780 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMM26N60F2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусTO263 МонтажSMD
319.37 
Доступность: 796 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM26N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMM26N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
316.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM26N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 20А; 147Вт; TO263" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж