Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.190

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
WMO07N70C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусTO252 МонтажSMD
115.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 2,8А; Idm: 9А; 42Вт" 1.

0.0
WMO07N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 6,8А; 55Вт; TO252" 1.

0.0
WMO080N10HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO080N10HG2
145.45 
Доступность: 99 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO080N10HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO08N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
101.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO08N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт" 1.

0.0
WMO08N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
111.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO08N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт" 1.

0.0
WMO08N70C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
113.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO08N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт" 1.

0.0
WMO08N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
66.40 
Доступность: 1914 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO252" 1.

0.0
WMO090NV6HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO090NV6HG4
78.26 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO090NV6HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO090NV6LG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO090NV6LG4
98.02 
Доступность: 243 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO090NV6LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO099N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO099N10HGS
113.04 
Доступность: 100 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO099N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO099N10LGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO099N10LGS
113.04 
Доступность: 90 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO099N10LGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO09N15TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N15TS
90.91 
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N15TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO09N20DM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N20DM
77.47 
Доступность: 280 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N20DM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO09N20DMH-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N20DMH
78.26 
Доступность: 286 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N20DMH, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO100N07T1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO100N07T1
146.25 
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO100N07T1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO10N100C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,8нC КорпусTO252 МонтажSMD
428.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт" 1.

0.0
WMO10N50C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
112.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N50C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 16А; 45Вт" 1.

0.0
WMO10N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
66.40 
Доступность: 1745 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252" 1.

0.0
WMO10N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
108.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

0.0
WMO10N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
113.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

0.0
WMO10N65EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
136.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

0.0
WMO10N70C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
128.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

0.0
WMO10N70EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
145.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

0.0
WMO10N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
98.02 
Доступность: 2155 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж