Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.207

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SUM50020E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусTO263 МонтажSMD
377.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM50020EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусTO263 МонтажSMD
349.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM60020E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора227нC КорпусTO263 МонтажSMD
357.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM60N10-17-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусTO263 МонтажSMD
449.01 
Доступность: 612 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM60N10-17-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 1.

0.0
SUM65N20-30-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
605.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM65N20-30-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 140А; 375Вт" 1.

0.0
SUM70030E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263 МонтажSMD
420.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM70030M-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора214нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
385.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70030M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM70040E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора76нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
387.35 
Доступность: 771 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM70040E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM70040M-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусTO263-7 МонтажSMD
360.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70040M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А" 800.

0.0
SUM70042E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTO263 МонтажSMD
327.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70042E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 200А" 800.

0.0
SUM70060E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусTO263 МонтажSMD
219.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70060E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 131А; Idm: 240А" 800.

0.0
SUM70090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTO263 МонтажSMD
241.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А" 800.

0.0
SUM80090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
433.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM80090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 128А; Idm: 240А; 125Вт" 1.

0.0
SUM85N15-19-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTO263 МонтажSMD
486.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM85N15-19-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 85А; Idm: 180А" 800.

0.0
SUM90100E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTO263 МонтажSMD
437.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90100E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 150А; Idm: 250А" 800.

0.0
SUM90140E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора64нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
577.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90140E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 75А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM90142E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусTO263 МонтажSMD
390.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90142E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 90А; Idm: 240А" 800.

0.0
SUM90220E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусTO263 МонтажSMD
292.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90220E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 64А; Idm: 100А" 800.

0.0
SUM90330E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO263 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90330E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,1А; Idm: 70А" 800.

0.0
SUM90N03-2M2P-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора257нC КорпусTO263 МонтажSMD
336.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM90N03-2M2P-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 200А" 800.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж