Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.22

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
B2M065120R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 754.94 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "B2M065120R, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт" 1.

0.0
BF2040E6814
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT143 Напряжение затвор-исток±10В
36.36 
Доступность: 3760 шт.
+

Минимальное количество для товара "BF2040E6814HTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 8В; 40мА; 200мВт; SOT143; SMT" 5.

0.0
BS170FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
141.50 
Доступность: 3443 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15мА; 0,33Вт; SOT23" 1.

0.0
BSC014N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
461.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC016N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
245.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC018N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
189.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC025N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
205.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC028N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
328.85 
Доступность: 2096 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC030N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC030N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC032N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
211.86 
Доступность: 1164 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC032N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; 52Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC034N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
223.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC034N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC035N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC035N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 92А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC035N10NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
485.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC039N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
289.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC039N06NS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC042N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC042N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC042N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
192.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC042N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 82А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0503NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
228.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0503NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; 50Вт; PG-TDSON-8" 2500.

0.0
BSC050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 72А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC050N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
105.93 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC050N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 71А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж