Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.226

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
WMM4N90D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTO263 МонтажSMD
113.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM4N90D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 65Вт" 1.

0.0
WMM4N90D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTO263 МонтажSMD
113.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM4N90D1B, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 63Вт" 1.

0.0
WMM53N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
735.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM53N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

0.0
WMM53N60F2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
841.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

0.0
WMM53N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
706.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM53N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

0.0
WMM6N90D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86,2нC КорпусTO263 МонтажSMD
123.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM6N90D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт" 1.

0.0
WMM6N90D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
113.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM6N90D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 6А; TO263" 1.

0.0
WMM80N08TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM80N08TS
147.04 
Доступность: 72 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM80N08TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM80R160S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
727.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R160S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт" 1.

0.0
WMM80R260S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусTO263 МонтажSMD
558.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R260S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 13А; Idm: 78А; 227Вт" 1.

0.0
WMM80R350S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусTO263 МонтажSMD
471.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R350S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт" 1.

0.0
WMM80R720S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO263 МонтажSMD
230.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R720S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 4,2А; Idm: 24А; 73Вт" 1.

0.0
WMM90N08TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM90N08TS
141.50 
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM90N08TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM90R360S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO263 МонтажSMD
554.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM90R360S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт" 1.

0.0
WMM90R830S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
267.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM90R830S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7А; 73Вт; TO263" 1.

0.0
WMMB015N08HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB015N08HGS
400.00 
Доступность: 33 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMMB015N08HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

0.0
WMMB020N10HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB020N10HG4
352.57 
Доступность: 285 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMMB020N10HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

0.0
WMO030N06HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO030N06HG4
143.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO030N06HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO030N06LG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO030N06LG4
143.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO030N06LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO03N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
45.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO03N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 2,5А; 29Вт; TO252" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж