Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.227

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
WMO048NV6HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO048NV6HG4
142.29 
Доступность: 78 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO048NV6HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO048NV6LG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO048NV6LG4
114.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO048NV6LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO04N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
50.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO04N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 3А; 29Вт; TO252" 1.

0.0
WMO053NV8HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO053NV8HGS
116.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO053NV8HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO05N100C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
265.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 2А; Idm: 11А; 57Вт" 1.

0.0
WMO05N65MM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение сток-исток650В
112.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N65MM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ MM; полевой; 650В; TO252" 1.

0.0
WMO05N70MM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
115.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N70MM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ MM; полевой; 700В; 5,4А; 42Вт; TO252" 1.

0.0
WMO05N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
60.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO252" 1.

0.0
WMO060N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO060N10HGS
113.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO060N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO06N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
63.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO252" 1.

0.0
WMO07N100C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Время готовности260нс Заряд затвора3,8нC КорпусTO252
232.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 2,2А; Idm: 12А; 65Вт" 1.

0.0
WMO07N105C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,8нC КорпусTO252 МонтажSMD
428.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N105C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1,05кВ; 2,2А; Idm: 12А" 1.

0.0
WMO07N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
148.62 
Доступность: 170 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO252" 1.

0.0
WMO07N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусTO252 МонтажSMD
100.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 2,8А; Idm: 9А; 42Вт" 1.

0.0
WMO07N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
85.38 
Доступность: 316 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO252" 1.

0.0
WMO07N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусTO252 МонтажSMD
113.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 2,8А; Idm: 9А; 42Вт" 1.

0.0
WMO07N70C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусTO252 МонтажSMD
115.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 2,8А; Idm: 9А; 42Вт" 1.

0.0
WMO07N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 6,8А; 55Вт; TO252" 1.

0.0
WMO080N10HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO080N10HG2
145.45 
Доступность: 99 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO080N10HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO08N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
101.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO08N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 45Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж