Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.237

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
WMZ13N65EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
298.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ13N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт" 1.

0.0
WMZ26N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
455.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMZ26N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
407.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMZ36N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
633.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ36N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

0.0
WMZ53N60F2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
667.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 280Вт" 1.

0.0
XP151A11B0MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
118.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A11B0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

0.0
XP151A13A0MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
124.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A13A0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

0.0
XP161A11A1PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
116.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A11A1PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

0.0
XP161A1265PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
150.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1265PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

0.0
XP161A1355PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
141.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1355PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

0.0
XP222N03015R-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT523 МонтажSMD
12.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP222N03015R-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT523" 10.

0.0
XP223N1001TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
12.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP223N1001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD" 10.

0.0
XP233N0501TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
26.88 
Доступность: 469 шт.
 

Минимальное количество для товара "XP233N0501TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

0.0
XP234N0801TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
24.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP234N0801TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,8А; Idm: 1,6А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

0.0
XP235N2001TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
55.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP235N2001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 4А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD" 1.

0.0
XP261N70023R-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD
26.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP261N70023R-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,3А; 0,35Вт; SOT323" 1.

0.0
XP262N7002TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
29.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP262N7002TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

0.0
XP263N1001TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
71.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP263N1001TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD" 1.

0.0
XP264N0301TR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
20.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP264N0301TR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,4Вт; SOT23-3" 1.

0.0
YJ2N60CP-YAN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTO252 МонтажSMD
25.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YJ2N60CP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2А; Idm: 8А; 44Вт; TO252" 5.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж