Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.48

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
CSD19502Q5BT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
534.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19502Q5BT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 195Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19505KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
629.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19505KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19505KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
833.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19505KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19506KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
807.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19506KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19506KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
953.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19506KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19531Q5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
339.92 
Доступность: 135 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19531Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 125Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19532KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
425.30 
Доступность: 138 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19532KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19532KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK МонтажSMD
284.58 
Доступность: 176 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19532KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19532Q5BT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
509.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19532Q5BT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 195Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19533Q5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
336.76 
Доступность: 122 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19533Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 96Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19534Q5A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
162.85 
Доступность: 1471 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19534Q5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
298.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19535KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
645.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19535KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19535KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусD2PAK МонтажSMD
719.37 
Доступность: 150 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19535KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19536KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
795.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19536KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19536KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора118нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 024.51 
Доступность: 111 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19537Q3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
273.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD19537Q3T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 83Вт; VSON-CLIP8" 1.

0.0
CSD19538Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусWSON6 МонтажSMD
93.28 
Доступность: 1987 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19538Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

0.0
CSD19538Q3AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
121.74 
Доступность: 311 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD19538Q3AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм" 1.

0.0
CSD87502Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусWSON6 МонтажSMD
181.82 
Доступность: 274 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж