Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.70

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
DN2470K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
184.98 
Доступность: 1655 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2470K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 0,5А; 2,5Вт; TO252" 1.

0.0
DN2530N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
145.45 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2530N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 740мВт; SOT89-3" 1.

0.0
DN2540N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
254.55 
Доступность: 295 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 170мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт" 1.

0.0
DN2625K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
314.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252" 1.

0.0
DN3135K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
150.20 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

0.0
DN3525N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
173.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
DN3535N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.82 
Доступность: 1632 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
DN3545N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
232.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
EL-MAH01170XA
Вид каналаобогащенный Заряд затвора8,9нC КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-4...20В
833.20 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAH01170XA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7" 1.

0.0
FCB070N65S3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
978.66 
Доступность: 657 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB070N65S3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 44А; 312Вт; D2PAK" 1.

0.0
FCB20N60FTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
877.47 
Доступность: 760 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB20N60FTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK" 1.

0.0
FCD3400N80Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусDPAK МонтажSMD
156.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD3400N80Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,2А; Idm: 4А; 32Вт; DPAK" 2500.

0.0
FCD4N60TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
324.11 
Доступность: 2472 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD4N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,5А; 50Вт; DPAK" 1.

0.0
FCD5N60TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK МонтажSMD
297.23 
Доступность: 2495 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD5N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,9А; 54Вт; DPAK" 1.

0.0
FCD900N60Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусDPAK МонтажSMD
300.40 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD900N60Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,5А; Idm: 13,5А; 52Вт; DPAK" 1.

0.0
FCMT299N60
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPower88 МонтажSMD
407.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCMT299N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,9А; Idm: 36А; 125Вт; Power88" 3000.

0.0
FDB0190N807L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора249нC КорпусD2PAK-6 МонтажSMD
795.26 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDB0190N807L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт; D2PAK-6" 1.

0.0
FDB024N06
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора226нC КорпусD2PAK МонтажSMD
515.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDB024N06, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190А; Idm: 1060А; 395Вт; D2PAK" 800.

0.0
FDB024N08BL7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусD2PAK МонтажSMD
433.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDB024N08BL7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 162А; Idm: 916А; 246Вт; D2PAK" 800.

0.0
FDB035AN06A0
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора124нC КорпусD2PAK МонтажSMD
779.45 
Доступность: 161 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDB035AN06A0, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 310Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж