Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 11

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25304W1015T КорпусDSBGA6 МонтажSMD
304.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC Код производителяCSD25310Q2 КорпусWSON6
91.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC Код производителяCSD25310Q2T КорпусWSON6
126.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25402Q3AT КорпусVSONP8 МонтажSMD
191.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC Код производителяCSD25404Q3T КорпусVSON-CLIP8
333.05 
Доступность: 373 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25480F3T КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD
241.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25481F4T КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD
210.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25483F4T КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD
93.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25484F4T КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD
135.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25485F5T КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD
263.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяCSD25501F3T КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD
229.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяDI005P04PW-AQ КорпусQFN2X2
51.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяDI005P04PW КорпусQFN2X2
142.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяDI006P02PW КорпусQFN2X2
103.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI006P02PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -36А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяDI020P06PT-AQ КорпусQFN3X3
68.47 
Доступность: 3689 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI020P06PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяDI020P06PT КорпусQFN3X3
125.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI020P06PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяDI022P06D1-AQ КорпусDPAK
130.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяDI022P06D1-Q КорпусDPAK
142.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-Q, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяDI028P03PT КорпусQFN3X3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI028P03PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -28А; Idm: -80А; 40Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяDI035P02PT КорпусQFN3X3
153.00 
Доступность: 185 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI035P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж