Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 21

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
156.79 
Доступность: 2627 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDC658P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD
221.31 
Доступность: 255 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD306P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,7А; 52Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусDPAK МонтажSMD
213.05 
Доступность: 676 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4141, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусDPAK МонтажSMD
178.54 
Доступность: 2413 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4243, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -14А; 42Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK МонтажSMD
199.55 
Доступность: 698 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4685, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -32А; 69Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
324.83 
Доступность: 2409 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD6637, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -35В; -55А; 57Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
67.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDD6685, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
209.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDFS2P106A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; 1,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусMicroFET МонтажSMD
130.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA291P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
63.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA3023PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,9А; 1,4Вт; WDFN6" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусMicroFET МонтажSMD
42.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA507PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,8А; 2,4Вт; MicroFET" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусMicroFET МонтажSMD
217.55 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMA530PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
155.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA905P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -10А; 2,4Вт; WDFN6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусMicroFET
194.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA908PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А; 2,4Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусMicroFET МонтажSMD
141.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA910PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,4А; Idm: -45А; 2,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусMLP8 МонтажSMD
250.56 
Доступность: 2416 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; 31Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора109нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
160.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC4D9P20X8, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -47А; Idm: -335А; 40Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
455.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; 41Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
210.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P-F106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -50А; 41Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
195.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC5614P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13,5А; 42Вт; WDFN8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж