Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 25

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK МонтажSMD
76.52 
Доступность: 1103 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD5P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,34А; 45Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
255.81 
Доступность: 2298 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD7P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
186.80 
Доступность: 1549 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD8P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 44Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
244.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD8P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; Idm: -26,4А; 44Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOT223 МонтажSMD
239.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT2P25TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,35А; Idm: -2,2А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
128.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT5P10TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223" 5.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора135нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
468.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80P04P4L04ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
199.55 
Доступность: 2496 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD068P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...5В
249.06 
Доступность: 2335 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
513.13 
Доступность: 3055 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF4905STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-100В
558.14 
Доступность: 784 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5210STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
341.34 
Доступность: 3262 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5305STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение сток-исток-40В
87.02 
Доступность: 3811 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5803TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 1,3Вт; TSOP6" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-150В
236.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF6215STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -13А; 110Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
99.02 
Доступность: 4125 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7205TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-40В
196.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7240TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -10,5А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-40В
135.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7241TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,2А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
219.80 
Доступность: 3579 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7306TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-12В
160.54 
Доступность: 3441 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7410TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -16А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
212.30 
Доступность: 3877 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7416TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж