Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.25

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IXTT10P60
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности0,5мкс Заряд затвора135нC КорпусTO268
2 147.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTT10P60, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -600В; -10А; 300Вт; TO268; 500нс" 1.

0.0
IXTT140P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности130нс Заряд затвора400нC КорпусTO268
3 155.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTT140P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -140А; 568Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT16P60P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности440нс Заряд затвора92нC КорпусTO268
2 300.40 
Доступность: 127 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXTT16P60P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -600В; -16А; 460Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT20P50P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности406нс Заряд затвора103нC КорпусTO268
2 273.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTT20P50P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -500В; -20А; 460Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT24P20
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности250нс Заряд затвора150нC КорпусTO268
1 857.71 
Доступность: 183 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXTT24P20, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -24А; 300Вт; TO268; 250нс" 1.

0.0
IXTT48P20P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности260нс Заряд затвора103нC КорпусTO268
2 140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTT48P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -48А; 462Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT50P10
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности180нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO268
1 356.52 
Доступность: 17 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXTT50P10, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 300Вт; TO268; 180нс" 1.

0.0
IXTT68P20T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности245нс Заряд затвора380нC КорпусTO268
3 007.11 
Доступность: 14 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXTT68P20T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -68А; 568Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT8P50
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора130нC КорпусTO268
1 430.83 
Доступность: 27 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXTT8P50, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -8А; 180Вт; TO268; 400нс" 1.

0.0
IXTT90P10P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности144нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO268
2 426.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTT90P10P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -100В; -90А; 462Вт; TO268" 1.

0.0
IXTY10P15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора36нC КорпусTO252
633.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTY10P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -10А; 83Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY15P15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности116нс Заряд затвора48нC КорпусTO252
744.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTY15P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -15А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY18P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности62нс Заряд затвора39нC КорпусTO252
668.77 
Доступность: 78 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXTY18P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY26P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности70нс Заряд затвора52нC КорпусTO252
719.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTY26P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY32P05T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности26нс Заряд затвора46нC КорпусTO252
474.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTY32P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -32А; 83Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY48P05T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности30нс Заряд затвора53нC КорпусTO252
437.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTY48P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -48А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
LGE2301-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.91 
Доступность: 5647 шт.
+

Минимальное количество для товара "LGE2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1Вт; SOT23" 20.

0.0
LGE2305-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
21.34 
Доступность: 5045 шт.
+

Минимальное количество для товара "LGE2305, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23" 5.

0.0
LP0701LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
377.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LP0701LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1,5Вт; SO8" 1.

0.0
MD06P115-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
22.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MD06P115-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 3000.

0.0
MD06P115-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
60.08 
Доступность: 2475 шт.
+

Минимальное количество для товара "MD06P115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 1.

0.0
MD10P380-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
18.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MD10P380, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,6А; Idm: -9А; 1Вт" 3000.

0.0
MMBFJ175LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ175LT1G
70.36 
Доступность: 1598 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBFJ175LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 7мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ176
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ176
98.02 
Доступность: 56 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBFJ176, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж