Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 37

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD12P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK МонтажSMD
222.48 
Доступность: 1277 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD17P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK МонтажSMD
165.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD2P40TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,98А; Idm: -6,24А; 38Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD
267.58 
Доступность: 671 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD3P50TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD3P50TM-AM002BLT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD
196.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD3P50TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
178.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD4P25TM-WS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,96А; 45Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
181.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD4P40TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,71А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусDPAK МонтажSMD
218.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD5P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,28А; Idm: -14,4А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK МонтажSMD
100.92 
Доступность: 1243 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD5P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,34А; 45Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD7P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,42А; 28Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
240.06 
Доступность: 2498 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD7P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
194.95 
Доступность: 1553 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD8P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 44Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
257.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD8P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; Idm: -26,4А; 44Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOT223 МонтажSMD
243.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT2P25TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,35А; Idm: -2,2А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT3P20TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,53А; 2,5Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
142.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT5P10TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB120P04P404ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -110А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,19мкC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180P04P403ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -180А; 150Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора65нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180P04P4L02ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -140А; Idm: -720А; 150Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж