Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 37

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
FQD12P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD12P10TM-F085
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяFQD12P10TM-F085 КорпусDPAK
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD12P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD17P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; DPAK
0.0
FQD17P06TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяFQD17P06TM КорпусDPAK
275.51 ₽
Доступность: 508 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD17P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; DPAK" 1.

FQD2P40TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,98А; Idm: -6,24А; 38Вт
0.0
FQD2P40TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяFQD2P40TM КорпусDPAK
249.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD2P40TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,98А; Idm: -6,24А; 38Вт" 1.

FQD3P50TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD3P50TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяFQD3P50TM КорпусDPAK
301.02 ₽
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD3P50TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD3P50TM-AM002BLT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD3P50TM-AM002BLT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяFQD3P50TM-AM002BLT КорпусDPAK
211.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD3P50TM-AM002BLT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD3P50TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD3P50TM-F085
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяFQD3P50TM-F085 КорпусDPAK
218.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD3P50TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD4P25TM-WS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,96А; 45Вт; DPAK
0.0
FQD4P25TM-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяFQD4P25TM-WS КорпусDPAK МонтажSMD
192.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD4P25TM-WS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,96А; 45Вт; DPAK" 1.

FQD4P40TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,71А; 50Вт; DPAK
0.0
FQD4P40TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяFQD4P40TM КорпусDPAK МонтажSMD
196.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD4P40TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,71А; 50Вт; DPAK" 1.

FQD5P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,28А; Idm: -14,4А; 25Вт
0.0
FQD5P10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC Код производителяFQD5P10TM КорпусDPAK
235.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD5P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,28А; Idm: -14,4А; 25Вт" 1.

FQD5P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,34А; 45Вт; DPAK
0.0
FQD5P20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяFQD5P20TM КорпусDPAK
86.73 ₽
Доступность: 593 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD5P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,34А; 45Вт; DPAK" 1.

FQD7P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,42А; 28Вт; DPAK
0.0
FQD7P06TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяFQD7P06TM КорпусDPAK МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD7P06TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,42А; 28Вт; DPAK" 1.

FQD7P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK
0.0
FQD7P20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяFQD7P20TM КорпусDPAK
289.97 ₽
Доступность: 1222 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD7P20TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK" 1.

FQD8P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 44Вт; DPAK
0.0
FQD8P10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяFQD8P10TM КорпусDPAK
211.73 ₽
Доступность: 1531 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQD8P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 44Вт; DPAK" 1.

FQD8P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; Idm: -26,4А; 44Вт; DPAK
0.0
FQD8P10TM-F085
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяFQD8P10TM-F085 КорпусDPAK
277.21 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQD8P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; Idm: -26,4А; 44Вт; DPAK" 1.

FQT2P25TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,35А; Idm: -2,2А; 2,5Вт
0.0
FQT2P25TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC Код производителяFQT2P25TF КорпусSOT223
271.26 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT2P25TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,35А; Idm: -2,2А; 2,5Вт" 1.

FQT3P20TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,53А; 2,5Вт; SOT223
0.0
FQT3P20TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяFQT3P20TF КорпусSOT223 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT3P20TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,53А; 2,5Вт; SOT223" 1.

FQT5P10TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223
0.0
FQT5P10TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC Код производителяFQT5P10TF КорпусSOT223
145.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT5P10TF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223" 5.

IPB120P04P404ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -110А; 136Вт
0.0
IPB120P04P404ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB120P04P404ATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB120P04P404ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -110А; 136Вт" 1.

IPB180P04P403ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -180А; 150Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB180P04P403
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,19мкC Код производителяIPB180P04P403ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180P04P403ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -180А; 150Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB180P04P4L02ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -140А; Idm: -720А; 150Вт
0.0
IPB180P04P4L02ATMA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора65нC Код производителяIPB180P04P4L02ATMA2 КорпусPG-TO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180P04P4L02ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -140А; Idm: -720А; 150Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж