Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.42

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RSJ250P10FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO263
308.30 
Доступность: 109 шт.
+

Минимальное количество для товара "RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263" 1.

0.0
RSJ250P10TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусD2PAK МонтажSMD
493.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK" 1.

0.0
RSM002P03T2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
49.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

0.0
RSQ015P10FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
143.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RSQ015P10HZGTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
152.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSQ015P10HZGTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RSQ025P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
48.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSQ025P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RSQ035P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
58.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSQ035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RSR015P06FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
53.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSR015P06FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RSR015P06HZGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
150.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSR015P06HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RSR025P03FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,4нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSR025P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RSS060P05FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSOP8 МонтажSMD
130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSS060P05FRATB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RSU002P03T106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

0.0
RTL020P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
102.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RTL020P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TUMT6" 1.

0.0
RTQ025P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
48.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RTQ025P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RTQ035P02FHATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
144.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RTQ035P02FHATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RTR020P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RTR020P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RTR025P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
52.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RTR025P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RTR030P02FHATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RTR030P02FHATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RU1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
30.04 
Доступность: 55 шт.
+

Минимальное количество для товара "RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

0.0
RU1C002ZPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323F МонтажSMD
32.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж