Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.46

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI2369DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD
79.84 
Доступность: 1301 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2371EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23
64.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI2371EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2377EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOT23
101.19 
Доступность: 1782 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2377EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD" 1.

0.0
SI2387DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

0.0
SI2393DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
79.84 
Доступность: 309 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI2399DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI3127DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
88.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3401A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
56.92 
Доступность: 3094 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт" 1.

0.0
SI3407DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
61.66 
Доступность: 2631 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3417DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
99.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI3421DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
107.51 
Доступность: 2807 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI3433CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
76.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3437DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
147.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

0.0
SI3443BDV-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
51.38 
Доступность: 1299 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3443BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,3Вт; TSOP6" 3.

0.0
SI3443CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,53нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
74.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 2,05Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3443DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
68.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI3443DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3457CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
116.21 
Доступность: 962 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3459BDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
91.70 
Доступность: 248 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

0.0
SI3473CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
132.02 
Доступность: 2940 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3483CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
93.28 
Доступность: 2064 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж