Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 50

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTRV4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,73Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
52.75 
Доступность: 385 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
57.34 
Доступность: 2833 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,1нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
61.16 
Доступность: 1826 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; 20Вт; WDFN8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC КорпусSOT223 МонтажSMD
178.90 
Доступность: 710 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
438.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5A160PLZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; 100А; 200Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
73.39 
Доступность: 493 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
152.14 
Доступность: 1044 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
57.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
38.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX2301P,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 400мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
19.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBK,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,23А; 420мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
40.52 
Доступность: 3266 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKS,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 80мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSOT666 МонтажSMD
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKV,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,22А; 330мВт; SOT666" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
34.40 
Доступность: 1836 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKW,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 260мВт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
53.52 
Доступность: 2172 шт.
 

Минимальное количество для товара "NXV65UPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
64.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NXV90EPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж