Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SIHFR9024TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
0.0
SIHFR9024TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍188‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9024TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт" 1.

SIHFR9110TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт
0.0
SIHFR9110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

SIHFR9110TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт
0.0
SIHFR9110TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

SIHFR9120-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт
0.0
SIHFR9120-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍153‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9120-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

SIHFR9120TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт
0.0
SIHFR9120TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍139‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9120TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

SIHFR9210TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт
0.0
SIHFR9210TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9210TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт" 1.

SIHFR9214-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт
0.0
SIHFR9214-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9214-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт" 1.

SIHFR9214TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт
0.0
SIHFR9214TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9214TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт" 1.

SIHFR9220-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍166‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9220TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9220TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9220TRR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍163‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍256‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍175‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А
0.0
SIJ4819DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А
0.0
SIR1309DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А" 3000.

SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А
0.0
SIR165DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍161‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А
0.0
SIR167DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍102‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А
0.0
SIR401DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)