Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 6

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC060P03NS3EGATMA КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC060P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC084P03NS3EGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3EGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC084P03NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
79.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSD223PH6327XTSA1 КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
43.11 
Доступность: 1718 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяBSH201,215 КорпусSOT23, TO236AB
79.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH201,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяBSH202,215 КорпусSOT23, TO236AB
60.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH202,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,33А; 0,17Вт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC Код производителяBSH203,215 КорпусSOT23, TO236AB
72.70 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH203,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяBSH205G2R КорпусSOT23, TO236AB
79.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 890мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSL207SPH6327XTSA1 КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
98.90 
Доступность: 8000 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL207SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSL211SPH6327XTSA1 КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
105.66 
Доступность: 2829 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL211SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSL307SPH6327XTSA1 КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
140.32 
Доступность: 1455 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL307SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO080P03SHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
356.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSO080P03SHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO201SPHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
182.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSO201SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO203PHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSO203PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO203SPHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSO203SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO207PHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
49.87 
Доступность: 2211 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSO207PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO211PHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
63.40 
Доступность: 2285 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSO211PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO301SPHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSO301SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO303SPHXUMA1 КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
150.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSO303SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; 1,56Вт; PG-DSO-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSO613SPVGXUMA1 КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
266.27 
Доступность: 2498 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSO613SPVGXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж