Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.8

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IXTA120P065T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности53нс Заряд затвора185нC КорпусTO263
995.20 
Доступность: 277 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA120P065T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -120А; 298Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA140P05T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности53нс Заряд затвора200нC КорпусTO263
1 246.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA140P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -140А; 298Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA15P15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности116нс Заряд затвора48нC КорпусTO263
337.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA15P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -15А; 150Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA18P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности62нс Заряд затвора39нC КорпусTO263
336.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA18P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA24P085T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности40нс Заряд затвора41нC КорпусTO263
529.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA24P085T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -85В; -24А; 83Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA26P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности70нс Заряд затвора52нC КорпусTO263
606.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA26P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA26P20P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности240нс Заряд затвора56нC КорпусTO263
1 161.60 
Доступность: 348 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA26P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -26А; 300Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA28P065T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности31нс Заряд затвора46нC КорпусTO263
512.00 
Доступность: 198 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA28P065T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -28А; 83Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA32P05T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности26нс Заряд затвора46нC КорпусTO263
576.00 
Доступность: 312 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA32P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -32А; 83Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA32P20T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности190нс Заряд затвора185нC КорпусTO263
1 427.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA32P20T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -32А; 300Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA36P15P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности228нс Заряд затвора55нC КорпусTO263
692.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA36P15P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -150В; -36А; 300Вт; TO263" 300.

0.0
IXTA44P15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности140нс Заряд затвора175нC КорпусTO263
1 056.00 
Доступность: 63 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA44P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -44А; 298Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA48P05T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности30нс Заряд затвора53нC КорпусTO263
614.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTA48P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -48А; 150Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA52P10P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора60нC КорпусTO263
1 243.20 
Доступность: 300 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA52P10P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -100В; -52А; 300Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA76P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности70нс Заряд затвора197нC КорпусTO263
1 174.40 
Доступность: 137 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA76P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -76А; 298Вт; TO263" 1.

0.0
IXTA96P085T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности55нс Заряд затвора180нC КорпусTO263
764.80 
Доступность: 163 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTA96P085T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -85В; -96А; 298Вт; TO263" 1.

0.0
IXTT10P60
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности0,5мкс Заряд затвора135нC КорпусTO268
2 172.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT10P60, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -600В; -10А; 300Вт; TO268; 500нс" 1.

0.0
IXTT140P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности130нс Заряд затвора400нC КорпусTO268
3 193.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT140P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -140А; 568Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT16P60P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности440нс Заряд затвора92нC КорпусTO268
2 328.00 
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT16P60P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -600В; -16А; 460Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT20P50P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности406нс Заряд затвора103нC КорпусTO268
2 300.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT20P50P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -500В; -20А; 460Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT24P20
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности250нс Заряд затвора150нC КорпусTO268
1 880.00 
Доступность: 183 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT24P20, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -24А; 300Вт; TO268; 250нс" 1.

0.0
IXTT48P20P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности260нс Заряд затвора103нC КорпусTO268
2 166.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT48P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -48А; 462Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT50P10
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности180нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO268
1 372.80 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT50P10, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 300Вт; TO268; 180нс" 1.

0.0
IXTT68P20T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности245нс Заряд затвора380нC КорпусTO268
3 043.20 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT68P20T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -68А; 568Вт; TO268" 1.

0.0
IXTT8P50
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора130нC КорпусTO268
1 448.00 
Доступность: 27 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT8P50, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -8А; 180Вт; TO268; 400нс" 1.

0.0
IXTT90P10P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности144нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO268
2 456.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT90P10P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -100В; -90А; 462Вт; TO268" 1.

0.0
IXTY10P15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора36нC КорпусTO252
641.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY10P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -10А; 83Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY15P15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности116нс Заряд затвора48нC КорпусTO252
753.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY15P15T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -150В; -15А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY18P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности62нс Заряд затвора39нC КорпусTO252
676.80 
Доступность: 78 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY18P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY26P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности70нс Заряд затвора52нC КорпусTO252
728.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY26P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY32P05T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности26нс Заряд затвора46нC КорпусTO252
480.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY32P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -32А; 83Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY48P05T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности30нс Заряд затвора53нC КорпусTO252
443.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY48P05T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -48А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
LGE2301-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.00 
Доступность: 5237 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1Вт; SOT23" 20.

0.0
LGE2305-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
21.60 
Доступность: 3635 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2305, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23" 5.

0.0
LP0701LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
382.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LP0701LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1,5Вт; SO8" 1.

0.0
MD06P115-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
23.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MD06P115-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 3000.

0.0
MD06P115-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
60.80 
Доступность: 2475 шт.
 

Минимальное количество для товара "MD06P115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 1.

0.0
MD10P380-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
18.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MD10P380, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,6А; Idm: -9А; 1Вт" 3000.

0.0
MMBFJ175LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ175LT1G
71.20 
Доступность: 1331 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ175LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 7мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ176
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ176
99.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ176, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ177LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ177LT1G
52.00 
Доступность: 12464 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ177LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 1,5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ270
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ270
92.00 
Доступность: 3174 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ270, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMFTP2301-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
41.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP2301-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; Idm: -10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP2301-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
61.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; Idm: -10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP2319-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
81.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP2319-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,2А; Idm: -30А; 0,75Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP2319-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
56.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP2319, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,2А; Idm: -30А; 0,75Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3008AK-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,55нC КорпусSOT23
23.20 
Доступность: 4343 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3008AK, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -230мА; Idm: -1А; 420мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3008K-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
36.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3008K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -360мА; Idm: -1,4А; 500мВт" 1.

0.0
MMFTP3008K-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
23.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3008K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -360мА; Idm: -1,4А; 500мВт" 1.

0.0
MMFTP3160-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3160-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -20А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3160-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
49.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3160, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -20А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP330K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23
78.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP330K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -9,1А; 480мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP332-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
79.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP332, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; Idm: -10А; 500мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3334K-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
53.60 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3334K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3334K-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
43.20 
Доступность: 2973 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3334K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3401-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
54.40 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3401-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -27А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3401-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
21.60 
Доступность: 166139 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3401, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -27А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP4042K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC КорпусSOT23
58.40 
Доступность: 2630 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP4042K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; Idm: -8А; 540мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP4042K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC КорпусSOT23
54.40 
Доступность: 2969 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP4042K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; Idm: -8А; 540мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP5618-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
62.40 
Доступность: 2608 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP5618-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP5618-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
55.20 
Доступность: 2220 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP5618, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP6312D-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
46.40 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP6312D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -7А; 0,7Вт" 1.

0.0
MMFTP6341KW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT363 МонтажSMD
26.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP6341KW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; SOT363" 5.

0.0
MMFTP84-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
22.40 
Доступность: 1790 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMFTP84K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
17.60 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMFTP84W-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
19.20 
Доступность: 2557 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
NDS0605
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
41.60 
Доступность: 578 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
NDS0610
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток-60В
30.40 
Доступность: 1197 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0610, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
NDS332P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
84.80 
Доступность: 2325 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS332P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
NDS352AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
84.80 
Доступность: 314 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
NDT2955
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
132.00 
Доступность: 3687 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT2955, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NDT452AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
184.80 
Доступность: 3922 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTA4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
36.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75" 1.

0.0
NTD20P06LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
164.80 
Доступность: 2829 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20P06LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15,5А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD25P03LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
192.00 
Доступность: 711 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD25P03LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK" 1.

0.0
NTDV20P06LT4G-VF01
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
156.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTDV20P06LT4G-VF01, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTE4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
18.40 
Доступность: 5410 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

0.0
NTF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
210.40 
Доступность: 1246 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTGS3136PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
189.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3433T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
136.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж