NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89

NTE4151PT1G

Срок поставки 4-6 недель

26.36 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
Цена
19.56 ₽
17.01 ₽
13.61 ₽
13.61 ₽
12.76 ₽
11.90 ₽
11.05 ₽
10.20 ₽
10.20 ₽
Доступность: 3162 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

Артикул производителя
NTE4151PT1G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,1нC
Код производителя
NTE4151PT1G
Корпус
SC89
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
313мВт
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-0,76А

Отзывы не найдены

Описание (nta4153n.pdf, 72 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России