Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

BXT520P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -15А; 1,25Вт

0.0

КОД:

BXT520P02M

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

36⁹³ ^₽

Доступность: 610 шт.

Минимальное количество для товара "BXT520P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -15А; 1,25Вт" 1.

BXT600P03M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт

0.0

КОД:

BXT600P03M

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD

46⁴⁰ ^₽

Доступность: 3000 шт.

Минимальное количество для товара "BXT600P03M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт" 1.

BXT900P06D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252

0.0

КОД:

BXT900P06D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяBXT900P06D

119³² ^₽

Доступность: 846 шт.

Минимальное количество для товара "BXT900P06D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

CDD10P06, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7А; 40Вт; TO252

0.0

КОД:

CDD10P06-CDI

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTO252 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CDD10P06, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7А; 40Вт; TO252" 1.

CPH6337-TL-W, Транзистор: P-MOSFET

0.0

КОД:

CPH6337TLW-ONS

Обозначение производителяCPH6337-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET

38⁸³ ^₽

Доступность: 2639 шт.

Минимальное количество для товара "CPH6337-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 1.

CPH6341-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26

0.0

КОД:

CPH6341-TL-W

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT26

64³⁹ ^₽

Доступность: 320 шт.

Минимальное количество для товара "CPH6341-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26" 1.

CPH6350-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -24А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

CPH6350-TL-W

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD

76⁷⁰ ^₽

Доступность: 2580 шт.

Минимальное количество для товара "CPH6350-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -24А; 1,6Вт; SOT23" 1.

CSD22204WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9

0.0

КОД:

CSD22204WT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

175¹⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD22204WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

CSD22205LT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -7,4А; Idm: -71А; 0,6Вт

0.0

КОД:

CSD22205LT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

171⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD22205LT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -7,4А; Idm: -71А; 0,6Вт" 1.

CSD22206WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9

0.0

КОД:

CSD22206WT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

213⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD22206WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

CSD23202W10T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4

0.0

КОД:

CSD23202W10T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

163⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23202W10T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4" 1.

CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6

0.0

КОД:

CSD23203WT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

171⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт

0.0

КОД:

CSD23280F3T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

166⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт" 1.

CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт

0.0

КОД:

CSD23285F5T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD23381F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

166⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD23382F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

168⁵⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9

0.0

КОД:

CSD25202W15T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

198⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9" 1.

CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6

0.0

КОД:

CSD25304W1015T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

179⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6

0.0

КОД:

CSD25310Q2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD

71⁹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6

0.0

КОД:

CSD25310Q2T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD

180⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8

0.0

КОД:

CSD25402Q3AT

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

174²⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8

0.0

КОД:

CSD25404Q3T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD

250⁹⁵ ^₽

Доступность: 408 шт.

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD25480F3T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

163⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт

0.0

КОД:

CSD25481F4T

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

160⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.